公开(公告)号：CN100587961C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710197170.3

申请日：2007-12-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东宫祥哲 ,  田谷圭司 ,  味泽治彦 ,  井上裕士 ,  岩下哲大 ,  加藤英明

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335 ,  H04N9/07

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。

公开(公告)号：CN101197386A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710197170.3

申请日：2007-12-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东宫祥哲 ,  田谷圭司 ,  味泽治彦 ,  井上裕士 ,  岩下哲大 ,  加藤英明

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335 ,  H04N9/07

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置，即使设有光波导，也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置，在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部；覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15～17，20～22，25～27，30，31，33)；在光电二极管的上方部分，在绝缘膜上形成有凹部(H)；在焊盘电极区域(RPAD)，在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32)；覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36)；在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。