公开(公告)号：CN101626028A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910150082.7

申请日：2009-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中田征志 ,  味沢治彦 ,  吉田直嗣 ,  中野泰弘 ,  古川顺一 ,  东宫祥哲 ,  藤曲润一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。

公开(公告)号：CN101740590A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910208383.0

申请日：2009-11-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  山口哲司 ,  中田征志

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。

公开(公告)号：CN101740590B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910208383.0

申请日：2009-11-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  山口哲司 ,  中田征志

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。

公开(公告)号：CN101626028B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910150082.7

申请日：2009-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中田征志 ,  味沢治彦 ,  吉田直嗣 ,  中野泰弘 ,  古川顺一 ,  东宫祥哲 ,  藤曲润一郎

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250 nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。