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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167215A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410196800.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/65 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法。提供了一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，该籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金，并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。此外，还提供了该磁性记录介质的制造方法。
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公开(公告)号：CN103031538A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210376946.9
申请日：2012-09-29
Applicant: 索尼公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种自限反应沉积设备及自限反应沉积方法。该自限反应沉积设备包括第一导向辊、第二导向辊、以及至少一个第一头部。第一导向辊在支撑通过辊对辊工艺输送的基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第一方向变成不与第一方向平行的第二方向。第二导向辊在支撑基材的第一表面的同时将基材的输送方向从第二方向变成不与第二方向平行的第三方向。至少一个第一头部布置在第一导向辊与第二导向辊之间，面向与基材的第一表面相对的第二表面，并朝向第二表面排放用于自限反应沉积的原料气体。
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公开(公告)号：CN104167215B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410196800.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/65 , Y10T156/10
Abstract: 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法。提供了一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，该籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金，并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。此外，还提供了该磁性记录介质的制造方法。
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公开(公告)号：CN104278243B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410319170.6
申请日：2014-07-04
Applicant: 索尼公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3452 , C23C14/35 , H01F7/0278 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。
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公开(公告)号：CN104278243A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410319170.6
申请日：2014-07-04
Applicant: 索尼公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3452 , C23C14/35 , H01F7/0278 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种能够轻易地调节磁场分布的磁场生成设备和使用所述磁场生成设备的溅射设备，所述磁场生成设备包括：两个以上主磁极部，其用于生成主磁场；一个以上副磁极部，其包括通过分割得到的多个第一分割磁体，并且生成用于对生成的主磁场进行调节的副磁场；以及轭部，其包括对应于所述一个以上副磁极部而与所述多个第一分割磁体相对的一个以上第一轭。
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