公开(公告)号：CN102738396A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210084348.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宇高融 ,  后藤修

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L27/146 ,  G02B27/28

CPC classification number: H01L51/424 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0072 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种偏振有机光电转换器件及其制造方法、偏振光学器件、成像装置以及电子设备。所述偏振有机光电转换器件具有如下结构，在该结构中，有机光电转换层被夹在至少一个是透明的第一电极和第二电极之间，其中所述有机光电转换层是使其至少一部分预先在面内单轴取向获得的。

公开(公告)号：CN1444254A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03128602.X

申请日：2003-02-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  浅野竹春 ,  竹谷元伸 ,  簗嶋克典 ,  池田真朗 ,  涉谷胜义 ,  铃木康彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段(A)在1030℃的生长温度下形成具有梯形形状横截面的低温生长部分，并在第二阶段(B)在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1296970C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN03128602.X

申请日：2003-02-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  浅野竹春 ,  竹谷元伸 ,  簗克典 ,  池田真朗 ,  涉谷胜义 ,  铃木康彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成条纹状图案的籽晶部分，缓冲层夹在其间。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段(A)在1030℃的生长温度下形成具有梯形形状横截面的低温生长部分，并在第二阶段(B)在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1305193C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02811751.4

申请日：2002-06-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 东条刚 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  内田史朗 ,  池田昌夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。

公开(公告)号：CN1574228A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410068799.4

申请日：2003-02-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  浅野竹春 ,  竹谷元伸 ,  簗嵨克典 ,  池田真朗 ,  涉谷胜义 ,  铃木康彦

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体、半导体器件及其制造方法。该半导体在表面具有大的低缺陷区。而且，氮化物半导体的制造方法包括采用横向生长技术的层形成步骤，其中可以容易地减少表面缺陷。在衬底上，形成籽晶部分，及该籽晶部分的表面上具有多个开口部分的生长抑制层。接着，在两阶段生长条件下自籽晶部分生长晶体以形成氮化物半导体层。在第一阶段在1040℃的生长温度下形成低温生长部分，并在第二阶段在1070℃的生长温度下主要进行横向生长以形成低温生长部分之间的高温生长部分。由此，在低温生长部分之上的氮化物半导体层表面中减少了小丘和常规晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1515053A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811751.4

申请日：2002-06-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 东条刚 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  内田史朗 ,  池田昌夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。

公开(公告)号：CN103907178A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280052849.2

申请日：2012-10-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  保原大介 ,  村上洋介

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

Abstract: 提供了一种用于使诸如有机半导体单晶体薄膜的有机单晶体薄膜成长的方法，所述方法允许控制有机单晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。包括有机化合物的有机半导体单晶体薄膜通过以下方式成长：将通过在溶剂中溶解有机化合物所制备的不饱和的有机溶液供应给基板(11)的成长控制区域(P1)和成核控制区域(P2)，所述基板具有在其一个主平面上的成长控制区域和形成在成长控制区域的一边上的并且连接至成长控制区域的至少一个成核控制区域；以及接着蒸发有机溶液的溶剂。

公开(公告)号：CN103890988A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052348.4

申请日：2012-10-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  村上洋介

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 一种有机单晶膜包括在衬底上形成的、越过所述衬底的第一区域(P1)和与所述第一区域相邻的所述衬底的第二区域(P2)之间的边界的有机单晶。所述第一区域具有与第二区域不同的形状或尺寸。

公开(公告)号：CN103069554A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039625.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  保原大介 ,  野元章裕 ,  村上洋介 ,  富谷茂隆 ,  小林典仁 ,  清水圭辅 ,  胜原真央 ,  大江贵裕 ,  川岛纪之 ,  高桥由佳 ,  福田敏生 ,  石井由威

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。