公开(公告)号：CN103199065B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310009469.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林柏伸 ,  许传进 ,  陈秉翔 ,  江承翰 ,  陈键辉 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00888 ,  H01L21/561 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程，主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质，以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处，再进行切割，使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘，而令该芯片的边缘翘曲。因此，可避免该应力延伸至该芯片的内部。

公开(公告)号：CN102820264A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210192120.7

申请日：2012-06-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 李宏仁 ,  张恕铭 ,  江承翰 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装结构及其制作方法，该晶片封装结构的制作方法包括：提供一第一基板，其定义有多个预定切割道；将一第二基板接合至第一基板，其中第一基板与第二基板之间具有一间隔层，间隔层具有多个晶片支撑环、一切割支撑结构、多个阻挡环、以及一间隙图案，晶片支撑环分别位于元件区中，切割支撑结构位于晶片支撑环的周围，阻挡环分别围绕晶片支撑环，间隙图案分隔开阻挡环、切割支撑结构以及晶片支撑环；以及沿着预定切割道切割第一基板与第二基板，以形成多个晶片封装结构。本发明使经切割后的基板的边缘可保持较为完整的形状，进而提升切割而成的晶片封装结构的可靠度。

公开(公告)号：CN103545295B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310298458.5

申请日：2013-07-16

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  陈世锦 ,  张义民 ,  陈键辉 ,  郑家明 ,  孙唯伦 ,  江承翰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1416 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，位于该半导体基底的该第一表面上；多个导电垫，位于该介电层中，且电性连接该元件区；至少一对准标记，设置于该半导体基底之中，且自该第二表面朝该第一表面延伸。本发明可提高晶片封装体的可靠度与品质。

公开(公告)号：CN103545295A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310298458.5

申请日：2013-07-16

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  陈世锦 ,  张义民 ,  陈键辉 ,  郑家明 ,  孙唯伦 ,  江承翰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1416 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；一元件区，设置于该半导体基底之中；一介电层，位于该半导体基底的该第一表面上；多个导电垫，位于该介电层中，且电性连接该元件区；至少一对准标记，设置于该半导体基底之中，且自该第二表面朝该第一表面延伸。本发明可提高晶片封装体的可靠度与品质。

公开(公告)号：CN102820264B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210192120.7

申请日：2012-06-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 李宏仁 ,  张恕铭 ,  江承翰 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装结构及其制作方法，该晶片封装结构的制作方法包括：提供一第一基板，其定义有多个预定切割道；将一第二基板接合至第一基板，其中第一基板与第二基板之间具有一间隔层，间隔层具有多个晶片支撑环、一切割支撑结构、多个阻挡环、以及一间隙图案，晶片支撑环分别位于元件区中，切割支撑结构位于晶片支撑环的周围，阻挡环分别围绕晶片支撑环，间隙图案分隔开阻挡环、切割支撑结构以及晶片支撑环；以及沿着预定切割道切割第一基板与第二基板，以形成多个晶片封装结构。本发明使经切割后的基板的边缘可保持较为完整的形状，进而提升切割而成的晶片封装结构的可靠度。

公开(公告)号：CN103199065A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310009469.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林柏伸 ,  许传进 ,  陈秉翔 ,  江承翰 ,  陈键辉 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00888 ,  H01L21/561 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程，主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质，以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处，再进行切割，使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘，而令该芯片的边缘翘曲。因此，可避免该应力延伸至该芯片的内部。