公开(公告)号：CN100374920C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510002711.3

申请日：2005-01-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 清水雄一 ,  浅田胜己

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/136209 ,  H01L23/552 ,  H01L27/14623 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 把在基板上形成的遮光膜，设置为交替地配置不含氮的薄膜与含有氮的薄膜的多层薄膜结构。由于在遮光膜中形成含有氮的薄膜，所以因退火处理之际的热应变而发生的应力被含有氮的薄膜所吸收，因此可以防止对以遮光膜为起点的绝缘膜或半导体层的裂纹的发生。

公开(公告)号：CN1645193A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510002711.3

申请日：2005-01-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 清水雄一 ,  浅田胜己

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/136209 ,  H01L23/552 ,  H01L27/14623 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 把在基板上形成的遮光膜，设置为交替地配置不含氮的薄膜与含有氮的薄膜的多层薄膜结构。由于在遮光膜中形成含有氮的薄膜，所以因退火处理之际的热应变而发生的应力被含有氮的薄膜所吸收，因此可以防止对以遮光膜为起点的绝缘膜或半导体层的裂纹的发生。