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公开(公告)号：CN110324769B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910235759.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种超声波传感器以及超声波装置，抑制驱动特性的降低的同时，实现超声波的发送声压的增大。超声波传感器具备：振动板，具备多个振动部；壁部，设置于所述振动板，包围所述振动部；第一压电元件，设置于多个所述振动部中、规定数量的所述振动部；以及第二压电元件，设置于未设置所述第一压电元件的所述振动部，其中，所述第一压电元件能够进行驱动信号的输入输出，且与至少一个其他的所述第一压电元件并联连接，在一个方向上相邻的所述第一压电元件之间，配置有所述第二压电元件。
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公开(公告)号：CN111715501A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010192790.3
申请日：2020-03-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及微机电系统器件及电子设备。在接合第一部件及第二部件并将用于连通设置于第一部件及第二部件之间的密封空间与外部空间的连通部设置于第二部件时，第一部件和第二部件有可能破损。为此，微机电系统器件具备：第一部件；第二部件，在与所述第一部件之间形成密封空间；以及第三部件，配置于所述第一部件与所述第二部件之间，并接合于所述第一部件及所述第二部件，所述第三部件比所述第一部件及所述第二部件的刚度小，所述第三部件设有连通所述密封空间与外部空间的连通部。
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公开(公告)号：CN111084637A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911013466.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供了能够得到所期望的声音特性的超声波元件及超声波装置。超声波元件具备：元件基板，具有第一面、与第一面成为表里关系的第二面、贯通第一面至第二面的开口部以及包围开口部的隔壁部；支承膜，设置在元件基板的第一面且覆盖开口部，并具有面对开口部的第三面以及与第三面成为表里关系的第四面；压电元件，设置在支承膜的第四面，在从第三面朝向第四面的膜厚方向进行俯视观察时，配置在支承膜的与开口部重叠的区域；保护板，设置成与支承膜的第四面对置，通过粘合部件经由朝向支承膜突出的梁部接合至支承膜；以及壁部，设置在支承膜的第四面，在梁部和压电元件之间设置成朝向保护板突出。
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公开(公告)号：CN101633266A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910164626.5
申请日：2009-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供能够良好印刷、蚀刻特性优异的液体喷头及其制造方法。液体喷头(50)包括：具有压力室(521)的压力室基板(52)；设置在所述压力室基板一侧的振动板(55)；设置在所述振动板的上方且与所述压力室对应的位置的压电元件(54)；设置在所述压力室基板的另一侧并具有与所述压力室连通的喷嘴孔的喷嘴板(51)。所述压电元件具有：下部电极(4)、形成在所述下部电极的上方的取向层(7)、形成在所述取向层上方的压电体层(5)、形成在所述压电体层的上方的上部电极(6)。所述取向层(7)包括镍酸镧的混晶，所述混晶所含的镍酸镧用式La x Ni y O z 表示时，x是1至3中的任一个整数，y是1或2，且z是2至7中的任一个整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100449688C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610172525.9
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/82 , H01L41/22
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。
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公开(公告)号：CN100449685C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510107137.8
申请日：2005-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75
Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种强电介质特性良好、难以产生电极膜的剥离的强电介质电容器及其制造方法与强电介质存储装置。本发明的强电介质电容器的制造方法，在基体(10)的上方顺序配置下部电极(20)、至少一个中间电极(40)和上部电极(60)，并在各个电极之间设置强电介质膜(30、50)。在中间电极(40)的形成工序中，(a)在强电介质膜(30)的上方通过溅射法形成第一金属膜(41)，(b)在第一金属膜(41)的上方通过蒸镀法形成第二金属膜(46)。
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公开(公告)号：CN1311542C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410030183.8
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10 , H01L41/08
CPC classification number: H01L27/11502 , C01G33/006 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。
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公开(公告)号：CN1706007A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101906.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种由AB1－XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。
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公开(公告)号：CN113219467B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110061476.6
申请日：2021-01-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及一种对超声波装置的精度下降进行抑制的超声波装置以及超声波传感器。本发明的超声波装置(1)具备：基板(150)；振动板(140)，其被设置在基板(150)上，且具有通过进行振动而生成超声波的一个以上的振动元件(124)，振动板(140)具有可动部(120)和固定部(110)，所述可动部(120)被设置有振动元件(124)且随着振动元件(124)的振动而进行振动，所述固定部(110)被固定在所述基板(150)上，超声波装置(1)以如下方式被构成，即，基于从可动部(120)发送并由可动部(120)接收的波的反射波的振动频率在振动元件(124)的振动频率范围之外。
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