-
公开(公告)号：CN101821431A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880103405.0
申请日：2008-07-07
Applicant: 第一电子工业株式会社
CPC classification number: C25D7/00 , C23C18/42 , H01L23/49582 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01R13/03 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子不能扩散到含锡材料层(74)中且抑制外力型晶须的电子部件的制造方法及通过该方法制造的电子部件。本发明的电子部件的制造方法是在材料(70)上进行表面处理的制造方法，包括在材料(70)的表面上进行衬底层(72)的表面处理、和在衬底层(72)的上方进行含锡材料层(74)的表面处理的工序，其中，具有在设置含锡材料层(74)之前设置势垒中间层(76)的工序，以达到防止材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子扩散到含锡材料层(74)中且抑制含锡材料层(74)的表面上负载了外力时的外力型晶须的产生的目的。
-
公开(公告)号：CN105189823B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480024619.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 第一电子工业株式会社
Inventor： 田所义浩
CPC classification number: H01R13/035 , C25D3/12 , C25D3/48 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/00 , H01R13/03 , H01R24/62
Abstract: 本发明提供具有廉价的结构并对四种混合气流显示优异的耐腐蚀性的电子零件。电子零件(10)至少具有触点构件(14)，该触点构件在与另一触点构件接触的接触部的表面至少具有基底镀层(147)和形成在该基底镀层(147)上的主镀层(149)。电子零件(10)在主镀层(149)上，设有含有氟系油的被膜(16)，该被膜(16)在主镀层(149)上的每单位面积的干燥附着量为0.011mg/cm2以上。
-
公开(公告)号：CN105189823A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024619.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 第一电子工业株式会社
Inventor： 田所义浩
CPC classification number: H01R13/035 , C25D3/12 , C25D3/48 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/00 , H01R13/03 , H01R24/62
Abstract: 本发明提供具有廉价的结构并对四种混合气流显示优异的耐腐蚀性的电子零件。电子零件(10)至少具有触点构件(14)，该触点构件在与另一触点构件接触的接触部的表面至少具有基底镀层(147)和形成在该基底镀层(147)上的主镀层(149)。电子零件(10)在主镀层(149)上，设有含有氟系油的被膜(16)，该被膜(16)在主镀层(149)上的每单位面积的干燥附着量为0.011mg/cm2以上。
-
公开(公告)号：CN101821431B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200880103405.0
申请日：2008-07-07
Applicant: 第一电子工业株式会社
IPC: C25D7/00 , C25D5/12 , H01L23/495 , H01R13/03 , H01R43/16
CPC classification number: C25D7/00 , C23C18/42 , H01L23/49582 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01R13/03 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子不能扩散到含锡材料层(74)中且抑制外力型晶须的电子部件的制造方法及通过该方法制造的电子部件。本发明的电子部件的制造方法是在材料(70)上进行表面处理的制造方法，包括在材料(70)的表面上进行衬底层(72)的表面处理、和在衬底层(72)的上方进行含锡材料层(74)的表面处理的工序，其中，具有在设置含锡材料层(74)之前设置势垒中间层(76)的工序，以达到防止材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子扩散到含锡材料层(74)中且抑制含锡材料层(74)的表面上负载了外力时的外力型晶须的产生的目的。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.035 seconds)
