公开(公告)号：CN116601752A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180081282.0

申请日：2021-12-01

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： F·察赫 ,  M·D·史密斯 ,  申筱濛 ,  J·斋藤 ,  D·欧文

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种晶片形状度量衡系统包含经配置以对第一晶片、第二晶片以及所述第一及第二晶片的后接合对执行一或多个无应力形状测量的晶片形状度量衡子系统。所述晶片形状度量衡系统包含通信地耦合到所述晶片形状度量衡子系统的控制器。所述控制器经配置以：从所述晶片形状子系统接收无应力形状测量；基于所述第一晶片、所述第二晶片以及所述第一晶片及所述第二晶片的所述后接合对的所述无应力形状测量预测所述第一晶片及所述第二晶片上的一或多个特征之间的覆盖；及基于所述经预测覆盖将反馈调整提供到一或多个处理工具。另外，可将前馈及反馈调整提供到一或多个处理工具。

公开(公告)号：CN112840442A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980065105.6

申请日：2019-10-18

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·米勒 ,  P·迪贺 ,  申筱蒙 ,  J·斋藤

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/78

Abstract: 一种使用可移除不透明涂层以在透明薄膜的上表面进行准确光学形貌测量的方法包含：将高度反射涂层沉积到晶片的上表面上；测量所述高度反射涂层上的形貌；及从所述晶片移除所述高度反射涂层。所述高度反射涂层包含有机材料。所述高度反射涂层包括介于1与2之间的折射率值。所述高度反射涂层包括大于635纳米的波长的复合波长。所述高度反射涂层反射至少20％的入射光。所述高度反射涂层在被沉积时以40×40微米的分辨率维持底层图案形貌。所述高度反射涂层未引起对所述晶片的破坏性应力。