一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法

    公开(公告)号:CN109248994A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201810943565.1

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法。该装置和方法至少包括熔炼炉、冷却辊、和用以将所述熔炼炉形成的熔液供给到所述冷却辊的供给装置,所述供给装置具有进液口和出液口,所述进液口至所述出液口之间设置出液通道,所述出液通道上设置一挡板,并形成一蓄液池。其通过在供给装置的出液通道的内壁上设置一挡板,起到蓄液、蓄温的作用,从而获得一致性好的薄带。

    一种R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112992462B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202110287760.5

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,R为稀土元素,Nb:0.1~0.3wt.%;B:0.955~1.2wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比;所述的R‑T‑B磁体中还含有Co和Ti;所述R‑T‑B磁体中,所述Co的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为4~10。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中各组分之间的配合关系,可制备为剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平的磁体材料。

    一种R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112992460B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202110286519.0

    申请日:2021-03-17

    Inventor: 牟维国 黄佳莹

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥29wt.%,所述R为稀土元素,所述R含有Nd;所述Nd≥22wt.%;Ti+Nb:0.2~0.75wt.%;Cu:0.05~0.45wt.%;B:0.955~1.15wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量与各组分总质量的比;所述Ti与所述Nb的质量比为(1~5):1。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中添加元素之间的配合关系,采用该配方能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均较佳的R‑T‑B磁体。

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