高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110993234B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911348739.0

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明公开了高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法。高Cu高Al的钕铁硼磁体包含:29.5~33.5%的R、0.985%以上的B、0.50%以上的Al、0.35%以上的Cu、1%以上的RH和0.1~0.4%的高熔点元素N和Fe;其中,所述百分比为所述元素占元素总量的质量百分比;其中,所述元素含量的质量百分比需满足如下关系:(1)1<RH<0.11R<3.54B;(2)0.12RH<Al。本发明通过联合添加一定比例的Al、RH、以及高熔点金属元素,能够有效解决高Cu磁体强度不足的问题,同时保证了磁体材料的磁学性能。

    一种R-T-B磁体及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112992463A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110287768.1

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.5wt.%,R为稀土元素;Nb:0.2~0.6wt.%;Ti:0.05~0.5wt.%;B:≥0.955wt.%;Fe:58~69wt.%,wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比;所述R‑T‑B磁体中还含有Cu;所述R‑T‑B磁体中,所述Cu的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为0.5~3.5。本发明中的R‑T‑B磁体的配方,在制备成钕铁硼磁体材料过程中,充分发挥了Cu降低富钕相与主相之间的界面能的作用,进而显著提升了磁性能。

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