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公开(公告)号：CN112939484B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110121396.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 福建师范大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法，其中x＝0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10）。首先采用溶胶凝胶法制备BiFe1‑xCoxO3体系粉末样品，然后将该材料的粉末样品进行干燥并制成块体靶材，最后用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上制得BiFe1‑xCoxO3体系薄膜。本发明的方法可以确保薄膜质量好、成相纯度高、薄膜元素比例稳定、薄膜与衬底粘附性好，且纯相薄膜制备的成功率高，可重复性好，而且BiFe1‑xCoxO3体系薄膜样品观测到明显的磁、铁电、光伏效应。
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公开(公告)号：CN110791732B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201911116100.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 福建师范大学
IPC: C23C14/28 , C23C14/08 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种镍掺杂铁酸铋薄膜体系材料的制备方法，该材料为BiFe1‑xNixO3，其中x＝0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10）。首先采用溶胶凝胶法制备BiFe1‑xNixO3体系粉末样品，然后将该材料的粉末样品进行干燥并制成块体靶材，最后用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上制得BiFe1‑xNixO3体系薄膜。本发明的方法可以确保薄膜质量好、成相纯度高、薄膜元素比例稳定、薄膜与衬底粘附性好，且纯相薄膜制备的成功率高，可重复性好，而且BiFe1‑xNixO3体系薄膜样品观测到明显的磁、铁电、光伏效应。
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公开(公告)号：CN114774858A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210324408.9
申请日：2022-03-29
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种可调谐铁磁共振复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括采用脉冲激光沉积法依次沉积于铁电衬底上的缓冲层Ta层薄膜、FeGaB薄膜、防氧化层Ta层薄膜，所述铁电衬底为铌酸铅镁钛酸铅PMN‑PT。本发明采用脉冲激光沉积技术，制备的磁电复合薄膜更为均匀，具有良好的保成分性，根据探究薄膜制备的激光能量、激光频率等参数以及腔内更替交换靶材的独特制备方式不仅可以确保薄膜厚度的均一性，还可有效提高薄膜材料质量。基于在PMN‑PT铁电衬底上沉积的FeGaB磁电复合薄膜有较好的微波吸收能量信号，使其成为理想的微波材料。
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公开(公告)号：CN113054013A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110287106.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 福建师范大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于镧系锰氧化物及单晶硅的场效应管结构薄膜及其制备方法，其包括单晶衬底、镧系锰氧化物、三个同类型电极及基于镧系锰氧化物和单晶硅的场效应管结构薄膜的制备方法，所述的制备方法包括镧系锰氧化物材料的制备和场效应管结构三个同类型电极的形成，所述三个同类型电极是金属电极，包括漏极、源极和栅极，形成场效应管结构，使镧系锰氧化物的整流特性的测量方式不同于简单的二极管结构，不仅可以拓展半导体器件领域的研究，可变换不同材料体系，但采用相同的场效应管结构测量方式，使得镧系锰氧化物在外加电场和光照的作用下都可获取别致的性能，而且还实现了场效应管和铁磁材料的结合，使得外加磁场给镧系锰氧化物的整流特性的变化提供可能。
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公开(公告)号：CN112024622A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010894812.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开一种用于铌三锡（Nb3Sn）超导线材拉拔及检测的装置和方法，利用激光测径仪进行水平和垂直两个方向的测定；利用高速相机360o摄像、结合数据处理，对线材截面进行实时成像；利用压力传感器实时采集线材加工过程中的变形力大小；利用高速相机、结合数据处理，对润滑液面图像进行实时采集。通过以上4个参数进行实时分析，判断线材加工过程的塑性变形情况，是否存在断线危险点，从而实现对导线均匀性在线实时监测，获得线材塑性变形数据。本发明利用人工智能和机器学习的方法，实现全自动在线评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110791732A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911116100.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 福建师范大学
IPC: C23C14/28 , C23C14/08 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种镍掺杂铁酸铋薄膜体系材料的制备方法，该材料为BiFe1-xNixO3，其中x＝0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10）。首先采用溶胶凝胶法制备BiFe1-xNixO3体系粉末样品，然后将该材料的粉末样品进行干燥并制成块体靶材，最后用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上制得BiFe1-xNixO3体系薄膜。本发明的方法可以确保薄膜质量好、成相纯度高、薄膜元素比例稳定、薄膜与衬底粘附性好，且纯相薄膜制备的成功率高，可重复性好，而且BiFe1-xNixO3体系薄膜样品观测到明显的磁、铁电、光伏效应。
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公开(公告)号：CN114974341A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210618114.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开一种基于钡掺杂铁酸铋体系薄膜的四态存储器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶法制备Bi1‑xBaxFeO3材料前驱体，然后将Bi1‑xBaxFeO3材料前驱体粉末化并制成块体靶材，之后用脉冲激光沉积法将该块体靶材材料沉积在FTO衬底上制得Bi1‑xBaxFeO3体系薄膜，最后在Bi1‑xBaxFeO3体系薄膜上镀上电极制成四态存储单元。本发明用溶胶凝胶法制备Bi1‑xBaxFeO3材料前驱体，使得Bi1‑xBaxFeO3各组分材料混合比较均匀；用脉冲激光沉积法沉积钡掺杂铁酸铋体系薄膜，具有质量好、均匀性高和材料组分稳定等特点，有效地保证了所得薄膜与靶材成分的一致，而且Bi1‑xBaxFeO3体系薄膜四态存储单元可以观测到明显的铁磁性和铁电性，两种铁性共存使其具有四种极化状态(±P,±M)，来实现非易失性的四态存储。
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公开(公告)号：CN112939484A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110121396.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 福建师范大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开一种钴掺杂铁酸铋体系薄膜材料的制备方法，其中x＝0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10）。首先采用溶胶凝胶法制备BiFe1‑xCoxO3体系粉末样品，然后将该材料的粉末样品进行干燥并制成块体靶材，最后用脉冲激光沉积法将块体靶材沉积在FTO衬底上制得BiFe1‑xCoxO3体系薄膜。本发明的方法可以确保薄膜质量好、成相纯度高、薄膜元素比例稳定、薄膜与衬底粘附性好，且纯相薄膜制备的成功率高，可重复性好，而且BiFe1‑xCoxO3体系薄膜样品观测到明显的磁、铁电、光伏效应。
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公开(公告)号：CN109507561B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811375308.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开一种基于可变磁场及自由电极的半导体特性稳定测量系统，其包括磁体变位器、自由样品台、磁体‑分析仪分离模块，所述磁体变位器、自由样品台、磁体‑分析仪分离模块采用PLA塑料与铜金属材料等抗磁材料，使磁体远离测试系统探针，使系统在磁学上与磁体分离，保证磁体控制与样品性质测量的稳定性，弥补了现有半导体参数测量系统无法将磁场、光场一体化的空白。另一方面，磁体变位自由度高，可提供大小、角度、方向连续可调的磁场，可支持实验研究自变量的均匀变化。
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公开(公告)号：CN109182981A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811368751.3
申请日：2018-11-16
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种钴酸锶薄膜材料的制备方法，对钴酸锶薄膜材料的磁、电性能进行研究。首先采用球磨法制备钴酸锶粉末样品，然后将该粉末样品干燥并制成块状靶材，最后用脉冲激光沉积法将块状靶材沉积在衬底上并退火，得到钴酸锶薄膜材料。本发明采用球磨法制得的钴酸锶粉末混合比较均匀、粒径均匀度高，球磨法具有操作简单、条件温和、易控制等特点；用脉冲激光沉积法沉积的钴酸锶薄膜，具有质量好、均匀性高和材料组分稳定等特点，同时采用晶格常数相近及同为钙钛矿结构的衬底上制得的钴酸锶薄膜结构更加稳定，而且在钴酸锶薄膜样品观测到其金属-半导体转变过程。
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