公开(公告)号：CN113054013A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110287106.4

申请日：2021-03-17

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 陈水源 ,  张裕祥 ,  霍冠忠 ,  王可 ,  叶晴莹 ,  林文青

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/267 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于镧系锰氧化物及单晶硅的场效应管结构薄膜及其制备方法，其包括单晶衬底、镧系锰氧化物、三个同类型电极及基于镧系锰氧化物和单晶硅的场效应管结构薄膜的制备方法，所述的制备方法包括镧系锰氧化物材料的制备和场效应管结构三个同类型电极的形成，所述三个同类型电极是金属电极，包括漏极、源极和栅极，形成场效应管结构，使镧系锰氧化物的整流特性的测量方式不同于简单的二极管结构，不仅可以拓展半导体器件领域的研究，可变换不同材料体系，但采用相同的场效应管结构测量方式，使得镧系锰氧化物在外加电场和光照的作用下都可获取别致的性能，而且还实现了场效应管和铁磁材料的结合，使得外加磁场给镧系锰氧化物的整流特性的变化提供可能。

公开(公告)号：CN113054013B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202110287106.4

申请日：2021-03-17

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 陈水源 ,  张裕祥 ,  霍冠忠 ,  王可 ,  叶晴莹 ,  林文青

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/267 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于镧系锰氧化物及单晶硅的场效应管结构薄膜及其制备方法，其包括单晶衬底、镧系锰氧化物、三个同类型电极及基于镧系锰氧化物和单晶硅的场效应管结构薄膜的制备方法，所述的制备方法包括镧系锰氧化物材料的制备和场效应管结构三个同类型电极的形成，所述三个同类型电极是金属电极，包括漏极、源极和栅极，形成场效应管结构，使镧系锰氧化物的整流特性的测量方式不同于简单的二极管结构，不仅可以拓展半导体器件领域的研究，可变换不同材料体系，但采用相同的场效应管结构测量方式，使得镧系锰氧化物在外加电场和光照的作用下都可获取别致的性能，而且还实现了场效应管和铁磁材料的结合，使得外加磁场给镧系锰氧化物的整流特性的变化提供可能。

公开(公告)号：CN113067549A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110328547.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 陈水源 ,  张裕祥 ,  王可 ,  霍冠忠 ,  叶晴莹 ,  裴哲 ,  林文青

IPC: H02S50/10 ,  H02S50/15

Abstract: 本发明公开电磁光一体化测试的物理特性综合测试系统，其包括光源、样品台和光电性能测试仪；光源设于样品台的上方并发射模拟太阳光，样品台的上表面的块状样品放置台具有多种不同规格的样品限位槽，块状样品放置台的底面设置材料槽，材料槽内放置导电抗磁材料，导电抗磁材料与块状样品的底面接触，样品台的正面对应材料槽的两侧分别设有一螺丝钉锁孔，螺丝钉锁孔内锁附有螺丝钉，导电抗磁材料延伸出材料槽缠部分绕于螺丝钉上，光电性能测试仪的测试端连接至螺丝钉；样品台底部具有正面开口的磁体放置腔，磁体放置腔内可更换放置有磁体放置器，磁体放置器的上端面固定有磁体。本发明可调磁场大小的，实现测量的稳定性，减少不可控因素的影响。

公开(公告)号：CN113176219B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202110481735.0

申请日：2021-04-30

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 陈水源 ,  霍冠忠 ,  苏超 ,  林文青 ,  叶晴莹 ,  黄志高

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/33 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开一种基于可变磁场的薄膜光学性能测量系统，其包括磁体变位器、薄膜定位装置，所述磁体变位器、薄膜定位装置采用无磁性的PLA塑料作为系统主体，使磁体对测试系统的影响在扫描基线时将以扣除，保证多次取出、置入样品均能使样品在换样测试过程中每一次放置的位置保持不变，以排除入射光入射区域差异引起的测量误差，弥补了现有光谱测量系统无法将磁场、光场一体化的空白。另一方面，磁体变位自由度高，可提供大小、角度、方向连续可调的磁场，可支持实验研究自变量的均匀变化。

公开(公告)号：CN113176219A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110481735.0

申请日：2021-04-30

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 陈水源 ,  霍冠忠 ,  苏超 ,  林文青 ,  叶晴莹 ,  黄志高

IPC: G01N21/31 ,  G01N21/33 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开一种基于可变磁场的薄膜光学性能测量系统，其包括磁体变位器、薄膜定位装置，所述磁体变位器、薄膜定位装置采用无磁性的PLA塑料作为系统主体，使磁体对测试系统的影响在扫描基线时将以扣除，保证多次取出、置入样品均能使样品在换样测试过程中每一次放置的位置保持不变，以排除入射光入射区域差异引起的测量误差，弥补了现有光谱测量系统无法将磁场、光场一体化的空白。另一方面，磁体变位自由度高，可提供大小、角度、方向连续可调的磁场，可支持实验研究自变量的均匀变化。