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公开(公告)号：CN113746483B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111043077.3
申请日：2021-09-07
Applicant: 福州大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明为一种应用于温度传感器的Sigma‑Delta ADC，包括：包括选择开关电路、开关电容积分电路、动态比较器、时序产生电路、偏置电路和开关点路，选择开关电路输入端与温度传感器的前端电路相连，选择开关电路输出端与开关电容积分电路相连，开关电容积分电容的输出端与动态比较器输入端相连。本发明的优点是：设有开关电路采用由MOS管组成的互补结构的T型开关，能够抵消沟道电荷注入效应以及低频输入下的泄漏电流影响，提高模数转换的精确度和分辨率；开关电容积分电路使用自动调零技术和全差分结构降低积分器的失调电压以及调整采样阶段的周期数用于放大电压，并增加前馈路径减小第一级积分器的平均输出以提高整体电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN115638888A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211088040.7
申请日：2022-09-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器，采用双极型晶体管与MOS管作为温感元件，通过Sigma‑Delta ADC将温度前端电路输出的与温度相关的模拟电压量转换为数字输出DOUT。温度前端电路基于MOSFET亚阈值温度特性进行设计，避免了电阻元件的使用，有效降低了电路静态功耗。此外，该TDC采用了动态偏置比较器与互补结构T型开关，进一步提高了能源利用效率。该传感器用于MEMS时钟温度补偿模块，为其提供高精度、高分辨率的温度信息，该结构针对温度传感器功耗进行了优化，其小体积低功耗特性使其适用于MEMS时钟应用。
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公开(公告)号：CN113311897A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110572115.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种应用于FBAR振荡器的低功耗温度传感器及其工作方法，所述温度传感器包括温度前端电路、ADC、时序产生电路；所述时序产生电路向温度前端电路动态匹配单元提供控制信号，并向ADC的采样保持电路提供非交叠时钟；所述温度前端电路与ADC相连并输出与温度正相关的电压ΔVBE和与温度负相关的电压VBE，所述ADC根据温度前端电路提供的电压信息，向外部电路输出含温度信息的脉冲宽度调制信号；本发明在满足低功耗、小体积的要求基础上，使用辅助电路分别提高测温精度和分辨率。满足了温度补偿电路对于高温度灵敏度的要求。
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公开(公告)号：CN113311897B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110572115.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种应用于FBAR振荡器的低功耗温度传感器及其工作方法，所述温度传感器包括温度前端电路、ADC、时序产生电路；所述时序产生电路向温度前端电路动态匹配单元提供控制信号，并向ADC的采样保持电路提供非交叠时钟；所述温度前端电路与ADC相连并输出与温度正相关的电压ΔVBE和与温度负相关的电压VBE，所述ADC根据温度前端电路提供的电压信息，向外部电路输出含温度信息的脉冲宽度调制信号；本发明在满足低功耗、小体积的要求基础上，使用辅助电路分别提高测温精度和分辨率。满足了温度补偿电路对于高温度灵敏度的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113746483A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111043077.3
申请日：2021-09-07
Applicant: 福州大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明为一种应用于温度传感器的Sigma‑Delta ADC，包括：包括选择开关电路、开关电容积分电路、动态比较器、时序产生电路、偏置电路和开关点路，选择开关电路输入端与温度传感器的前端电路相连，选择开关电路输出端与开关电容积分电路相连，开关电容积分电容的输出端与动态比较器输入端相连。本发明的优点是：设有开关电路采用由MOS管组成的互补结构的T型开关，能够抵消沟道电荷注入效应以及低频输入下的泄漏电流影响，提高模数转换的精确度和分辨率；开关电容积分电路使用自动调零技术和全差分结构降低积分器的失调电压以及调整采样阶段的周期数用于放大电压，并增加前馈路径减小第一级积分器的平均输出以提高整体电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN114900150B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210489385.7
申请日：2022-05-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。
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公开(公告)号：CN114900150A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210489385.7
申请日：2022-05-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。
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公开(公告)号：CN214951835U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121134332.0
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型提出一种应用于FBAR振荡器的低功耗温度传感器，所述温度传感器包括温度前端电路、ADC、时序产生电路；所述时序产生电路向温度前端电路动态匹配单元提供控制信号，并向ADC的采样保持电路提供非交叠时钟；所述温度前端电路与ADC相连并输出与温度正相关的电压ΔVBE和与温度负相关的电压VBE，所述ADC根据温度前端电路提供的电压信息，向外部电路输出含温度信息的脉冲宽度调制信号；本实用新型在满足低功耗、小体积的要求基础上，使用辅助电路分别提高测温精度和分辨率。满足了温度补偿电路对于高温度灵敏度的要求。
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