公开(公告)号：CN115407818A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211108126.1

申请日：2022-09-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄继伟 ,  吴为清 ,  金靖 ,  刘皓宇 ,  郭屹粟

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种应用于ADC的低功耗高瞬态LDO，采用改进型源输入共栅极放大器以解决低静态电流下误差放大器的摆率不足的问题，利用体偏置放大器让功率管更快进入饱和区，以及采用动态偏置提高整体电路的瞬态特性。整体电路分为改进型误差放大器、动态偏置电路、体偏置电路与保护模块四个模块。该结构为低功耗ADC提供稳定的电源电压。该结构消耗nA级静态功耗，满足低功耗的要求。

公开(公告)号：CN114900150A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210489385.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄继伟 ,  郭屹粟 ,  刘皓宇 ,  金靖 ,  王科平

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24

Abstract: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。

公开(公告)号：CN115638888A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211088040.7

申请日：2022-09-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄继伟 ,  刘皓宇 ,  郭屹粟 ,  金靖

IPC: G01K7/01 ,  G04F10/00 ,  G04G3/04

Abstract: 本发明公开了一种应用于MEMS时钟的低功耗温度传感器，采用双极型晶体管与MOS管作为温感元件，通过Sigma‑Delta ADC将温度前端电路输出的与温度相关的模拟电压量转换为数字输出DOUT。温度前端电路基于MOSFET亚阈值温度特性进行设计，避免了电阻元件的使用，有效降低了电路静态功耗。此外，该TDC采用了动态偏置比较器与互补结构T型开关，进一步提高了能源利用效率。该传感器用于MEMS时钟温度补偿模块，为其提供高精度、高分辨率的温度信息，该结构针对温度传感器功耗进行了优化，其小体积低功耗特性使其适用于MEMS时钟应用。

公开(公告)号：CN115407818B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202211108126.1

申请日：2022-09-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄继伟 ,  吴为清 ,  金靖 ,  刘皓宇 ,  郭屹粟

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种应用于ADC的低功耗高瞬态LDO，采用改进型源输入共栅极放大器以解决低静态电流下误差放大器的摆率不足的问题，利用体偏置放大器让功率管更快进入饱和区，以及采用动态偏置提高整体电路的瞬态特性。整体电路分为改进型误差放大器、动态偏置电路、体偏置电路与保护模块四个模块。该结构为低功耗ADC提供稳定的电源电压。该结构消耗nA级静态功耗，满足低功耗的要求。

公开(公告)号：CN114900150B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202210489385.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄继伟 ,  郭屹粟 ,  刘皓宇 ,  金靖 ,  王科平

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24

Abstract: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。