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公开(公告)号：CN114900150A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210489385.7
申请日：2022-05-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。
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公开(公告)号：CN111224620B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010240161.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法。所述电路中述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接，输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接，分频器的输出端与温度传感器的输入端连接，温度传感器的输出端与存储器模块的输入端连接，存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接，第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接，第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本发明通过存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移，提高了频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113972894B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202111253043.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 福州大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明涉及一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法。所述电路包括：依次连接的电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述基于推挽式核心振荡单元所提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述基于振幅反馈电路单元用于检测振幅并通过反馈来调整栅极电压使电路工作在C类状态。本发明电路基于互补交叉耦合C类振荡器结构，能够实现低功耗、低相位噪声，并且具有高效电流利用效率和稳定等特性。
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公开(公告)号：CN113746483B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111043077.3
申请日：2021-09-07
Applicant: 福州大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明为一种应用于温度传感器的Sigma‑Delta ADC，包括：包括选择开关电路、开关电容积分电路、动态比较器、时序产生电路、偏置电路和开关点路，选择开关电路输入端与温度传感器的前端电路相连，选择开关电路输出端与开关电容积分电路相连，开关电容积分电容的输出端与动态比较器输入端相连。本发明的优点是：设有开关电路采用由MOS管组成的互补结构的T型开关，能够抵消沟道电荷注入效应以及低频输入下的泄漏电流影响，提高模数转换的精确度和分辨率；开关电容积分电路使用自动调零技术和全差分结构降低积分器的失调电压以及调整采样阶段的周期数用于放大电压，并增加前馈路径减小第一级积分器的平均输出以提高整体电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN113311897A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110572115.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种应用于FBAR振荡器的低功耗温度传感器及其工作方法，所述温度传感器包括温度前端电路、ADC、时序产生电路；所述时序产生电路向温度前端电路动态匹配单元提供控制信号，并向ADC的采样保持电路提供非交叠时钟；所述温度前端电路与ADC相连并输出与温度正相关的电压ΔVBE和与温度负相关的电压VBE，所述ADC根据温度前端电路提供的电压信息，向外部电路输出含温度信息的脉冲宽度调制信号；本发明在满足低功耗、小体积的要求基础上，使用辅助电路分别提高测温精度和分辨率。满足了温度补偿电路对于高温度灵敏度的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113114167A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110569549.2
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明提出一种基于堆叠式的低功耗FBAR振荡器电路及其工作方法，其特征在于，包括：依次连接的：电源端口、电流产生电路单元和基于堆叠式核心振荡电路单元；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述基于堆叠式核心振荡单元用于提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗。该电路基于堆叠式的Pierce振荡器结构，能够实现较大的输出摆幅，并且具有低功耗、低相位噪声、面积小等特性。
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公开(公告)号：CN111224620A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010240161.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 福州大学
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法。所述电路中述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接，输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接，分频器的输出端与温度传感器的输入端连接，温度传感器的输出端与存储器模块的输入端连接，存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接，第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接，第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本发明通过存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移，提高了频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113114168B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110575477.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 福州大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明涉及一种基于改进体偏置技术的差分colpitts FBAR振荡器电路，包括依次连接的电源电压端口、改进体偏置的核心振荡电路单元和差分输出端口；所述电源电压端口用于提供电源电压；所述改进体偏置的核心振荡电路单元，提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗维持振荡;所述差分输出端口用于输出正弦信号。本发明实现在较低的电源电压下也可以实现较大的摆幅，满足了低功耗下也能启动稳定，且整体电路可集成度高，此外，通过差分colpitts结构增加了环路增益，降低了传统colpitts结构的起振要求。
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公开(公告)号：CN113311897B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110572115.8
申请日：2021-05-25
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提出一种应用于FBAR振荡器的低功耗温度传感器及其工作方法，所述温度传感器包括温度前端电路、ADC、时序产生电路；所述时序产生电路向温度前端电路动态匹配单元提供控制信号，并向ADC的采样保持电路提供非交叠时钟；所述温度前端电路与ADC相连并输出与温度正相关的电压ΔVBE和与温度负相关的电压VBE，所述ADC根据温度前端电路提供的电压信息，向外部电路输出含温度信息的脉冲宽度调制信号；本发明在满足低功耗、小体积的要求基础上，使用辅助电路分别提高测温精度和分辨率。满足了温度补偿电路对于高温度灵敏度的要求。
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公开(公告)号：CN113972894A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111253043.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 福州大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明涉及一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法。所述电路包括：依次连接的电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述基于推挽式核心振荡单元所提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述基于振幅反馈电路单元用于检测振幅并通过反馈来调整栅极电压使电路工作在C类状态。本发明电路基于互补交叉耦合C类振荡器结构，能够实现低功耗、低相位噪声，并且具有高效电流利用效率和稳定等特性。
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