公开(公告)号：CN102583275B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201210068017.1

申请日：2012-03-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 胡晓琳 ,  王幸 ,  何小武 ,  陈建中 ,  庄乃锋 ,  赵斌 ,  郭飞云

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。

公开(公告)号：CN102583275A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210068017.1

申请日：2012-03-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 胡晓琳 ,  王幸 ,  何小武 ,  陈建中 ,  庄乃锋 ,  赵斌 ,  郭飞云

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。