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公开(公告)号：CN102732863A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210069681.8
申请日：2012-03-16
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/31 , C23C18/34 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助石墨型碳材料化学镀磁性金属的制备方法，其过程为：石墨型碳材料经过纯化、敏化、活化处理，在其表面形成贵金属催化还原中心，在磁场作用下利用化学镀法在碳材料表面形成磁性金属镀层。采用磁场辅助表面化学镀金属的碳材料具有良好的电传导和热传导性能，磁场的作用下大大减少了化学镀时间，增加碳材料的分散性和金属镀层的均匀性，减少络合剂和还原剂的使用量，所获得的镀层结构致密，缺陷少，结合力好。
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公开(公告)号：CN102592918A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210041775.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，通过磁场后处理，使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向，使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面，从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善，即使碳纳米管薄膜的电流密度提高1倍，阈值强度降低30%以上，电子发射点密度可提高1个数量级以上且均匀性明显提高，本发明的方法简单有效，全面提高碳纳米管阴极的场发射性能，具备显著的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN102592918B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210041775.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管阴极场致电子发射性能的后处理方法，通过磁场后处理，使阴极表面碳纳米管磁性极化而发生取向，使得阴极表面碳纳米管垂直于衬底表面，从而使碳纳米管阴极的场致电子发射性能得到显著改善，即使碳纳米管薄膜的电流密度提高一倍，阈值强度降低30%以上，电子发射点密度可提高一个数量级以上且均匀性明显提高，本发明的方法简单有效，全面提高碳纳米管阴极的场发射性能，具备显著的经济和社会效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103246123A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310179207.5
申请日：2013-05-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，特别是一种基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置。该电子墨动态光栅包括第一控制层、第二控制层和电子墨层；所述第一控制层包括第一透明基板、复数个第一透明电极、第一透明绝缘层、复数个第二透明电极;所述第二控制层包括第二透明基板、第三透明电极；本发明通过一控制模块控制电子墨光栅，不仅能通过控制电子墨光栅中的黑态区域和透光区域的变化，实现显示内容在2D显示模式和3D显示模式之间切换，提高显示器件的利用率。
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公开(公告)号：CN103246123B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310179207.5
申请日：2013-05-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，特别是一种基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置。该电子墨动态光栅包括第一控制层、第二控制层和电子墨层；所述第一控制层包括第一透明基板、复数个第一透明电极、第一透明绝缘层、复数个第二透明电极;所述第二控制层包括第二透明基板、第三透明电极；本发明通过一控制模块控制电子墨光栅，不仅能通过控制电子墨光栅中的黑态区域和透光区域的变化，实现显示内容在2D显示模式和3D显示模式之间切换，提高显示器件的利用率。
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公开(公告)号：CN102732863B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210069681.8
申请日：2012-03-16
Applicant: 福州大学
IPC: C23C18/31 , C23C18/34 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种磁场辅助石墨型碳材料化学镀磁性金属的制备方法，其过程为：石墨型碳材料经过纯化、敏化、活化处理，在其表面形成贵金属催化还原中心，在磁场作用下利用化学镀法在碳材料表面形成磁性金属镀层。采用磁场辅助表面化学镀金属的碳材料具有良好的电传导和热传导性能，磁场的作用下大大减少了化学镀时间，增加碳材料的分散性和金属镀层的均匀性，减少络合剂和还原剂的使用量，所获得的镀层结构致密，缺陷少，结合力好。
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