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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109212032A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811245799.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于改进多次反射全聚焦成像算法的界面型缺陷检测方法，包括以下步骤：步骤S1:根据界面深度S及接收P次回波所需的时长，设置仪器参数；步骤S2:采用全矩阵捕获技术对待测工件进行回波捕获；步骤S3:对待测区域离散的每一个目标成像点采用改进多次反射全聚焦算法进行虚拟聚焦,得到待测区域界面型缺陷检测结果。本发明基于改进多次反射全聚焦成像算法，采集多次回波，将每一次回波中所包含的目标成像点信息都进行深度累加，从而突出了界面缺陷的特征，大大提高了脱粘缺陷的检出率。
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公开(公告)号：CN108931494A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810682839.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/3581
Abstract: 本发明提供一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置及其使用方法，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖，利用上述装置能够通过利用太赫兹波在高阻硅棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从而实现含水、粉末状样品的太赫兹光谱检测，其结构简单、方便调试。应用基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，在分辨物体的组成成分，分析物体的物理化学性质方面具有潜在的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN109212032B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811245799.5
申请日：2018-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于改进多次反射全聚焦成像算法的界面型缺陷检测方法，包括以下步骤：步骤S1:根据界面深度S及接收P次回波所需的时长，设置仪器参数；步骤S2:采用全矩阵捕获技术对待测工件进行回波捕获；步骤S3:对待测区域离散的每一个目标成像点采用改进多次反射全聚焦算法进行虚拟聚焦,得到待测区域界面型缺陷检测结果。本发明基于改进多次反射全聚焦成像算法，采集多次回波，将每一次回波中所包含的目标成像点信息都进行深度累加，从而突出了界面缺陷的特征，大大提高了脱粘缺陷的检出率。
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公开(公告)号：CN208297341U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201821010007.1
申请日：2018-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/3581
Abstract: 本实用新型提供一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖，利用上述装置能够通过利用太赫兹波在高阻硅棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从而实现含水、粉末状样品的太赫兹光谱检测，其结构简单、方便调试。应用基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，在分辨物体的组成成分，分析物体的物理化学性质方面具有潜在的工程应用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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