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公开(公告)号：CN104882383B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104409774B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410237589.7
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/139
Abstract: 本发明涉及一种锂电池的3D打印方法，首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层，随后，在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号：CN103633304B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310650049.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管为核制备同轴复合纳米材料的方法，以碳纳米管为核生长由内到外依次为碳纳米管、氧化锰、无定形碳的纳米复合材料，即无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其中锰的氧化物为MnO2、Mn3O4和MnO，简写为MnOx。本发明运用以碳纳米管为核制备出一维无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其制备工艺简单，设备要求低、并且所制备的材料具有大比表面积、高稳定性、高容量、高导电率，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104051275A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410297058.7
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66568 , B82Y40/00 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104409690B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410237597.1
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/139
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法。这种方法主要是分别以钛酸锂、聚酰亚胺、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水，再利用3D打印技术，制备出以钛酸锂为阳极材料，聚酰亚胺为隔膜，磷酸铁锂为阴极材料的叠层垂直交叉电极结构。本发明主要基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法，具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、阴阳极电极间距小等优势。这些都将极大提高了锂离子在电极之间的扩散速度，进而提高了其离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409728A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237602.9
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/58
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水，再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极，磷酸铁锂材料为阴极的电极结构，最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法，具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104409775B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410237593.3
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺，首先制备出打印锂电池正负电极浆料，再制取隔膜浆料，随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺，制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104409683B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410238059.4
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/13
Abstract: 本发明涉及一种基于同轴3D打印技术制备并排阴阳极锂离子电池的方法。这种方法主要是先制备出分别包含钛酸锂、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂混合物的阳极、隔膜和阴极打印墨水，通过3D打印技术，采用同轴套管3D打印技术打印出以钛酸锂为阳极材料、聚偏氟乙烯为隔膜材料、磷酸铁锂为阴极材料的阴阳极并排结构，该阴阳极并排结构具有阳极、隔膜同轴并与阴极并排的特殊结构，最后将此结构转移到手套箱中进行封装，进一步得到同轴并排阴阳极锂离子电池。该方法主要是在阳极材料外面打印上一层多孔隔膜，并可以与阴极材料紧密接触，大大缩短了锂离子在阴阳电极间的扩散距离，提高了电极材料的电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104882542A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281381.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/0566 , H01L51/107
Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应，从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104882383A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510281343.4
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/0684 , H01L29/12 , H01L29/2203 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。
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