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公开(公告)号:CN117497422A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311228225.8
申请日:2023-09-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/423
Abstract: 本发明提供了一种高稳定性高性能氧化物薄膜晶体管的制备方法,包括在衬底形成源漏极之后,并覆盖上一层氧化物半导体层,并使用两种气体对氧化物半导体层上在PECVD装置中进行等离子处理;本发明避免了一般等离子处理需要额外的步骤以及机器,通过在PECVD装置中直接进行等离子处理,降低制造工艺的复杂性,同时获得了稳定性良好、器件性能优良的氧化物晶体管。
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公开(公告)号:CN117800711A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202410002643.3
申请日:2024-01-02
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材制备方法,先将多种不同的金属氧化物粉进行混合球磨,同时在球磨过程中加入超声技术,获得金属氧化物混合浆料1;然后将粘结剂加入到混合浆料1中后再次进行球磨,球磨过程中加入超声技术,细化分散过程,得到混合浆料2;将混合浆料2注入模具中进行成型,脱模后得到生坯,最后对生坯依次进行干燥、脱脂和烧结,得到高质量氧化物靶材;本发明在球磨过程中加入超声技术,利用超声波的高能量,进一步打散球磨过程中的团聚颗粒,有效解决球磨过程中混合不均匀的问题;在分散过程中利用球磨和超声波细化分散过程,使混合浆料粒径分布均匀,具有高的致密性。因此,本发明制备的氧化物靶材成分均匀,致密性高,性能好。
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