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公开(公告)号：CN117497422A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311228225.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/423
Abstract: 本发明提供了一种高稳定性高性能氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底形成源漏极之后，并覆盖上一层氧化物半导体层，并使用两种气体对氧化物半导体层上在PECVD装置中进行等离子处理；本发明避免了一般等离子处理需要额外的步骤以及机器，通过在PECVD装置中直接进行等离子处理，降低制造工艺的复杂性，同时获得了稳定性良好、器件性能优良的氧化物晶体管。
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