公开(公告)号：CN109999850A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910329977.0

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  张致远 ,  张竹海 ,  萨百晟 ,  余新江 ,  谭小林

IPC: B01J27/057 ,  B01J27/04 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种第Ⅲ主族硫属化物光催化材料及制备方法，包括将银箔基底进行超声清洗及高温退火处理，利用低压化学气相沉积的方法合成尺寸均匀的Ⅲ-Ⅵ族化合物薄片。在反应温度下保持10-20分钟，等到自然冷却至室温时，同时关闭通入氩气和氢气，即可在银箔基底得到尺寸均匀的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄层样品。该方法使用的化学气相沉积法能够实现大规模，高质量的第Ⅲ主族硫属化物化合物薄片，制备工艺简单，可规模化量产。

公开(公告)号：CN109999847A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910329409.0

申请日：2019-04-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  陈建辉 ,  周昊 ,  温翠莲 ,  贺啸俊 ,  谭小林

IPC: B01J27/057 ,  B01J27/04 ,  B01J37/08

Abstract: 本发明公开了一种III-VI族异质结光催化剂材料的制备方法，其是将Ga粉、S粉、Se粉以及提供In源的In2O3放入对应的管式炉中，将管式炉加热并通入保护气体氩气，同时通过调控相对应的阀门控制沉积过程。最后用蒸馏水和无水乙醇洗涤去除杂质后置于真空中干燥一段时间，即可得片状的III-VI族异质结光催化剂材料。本发明具有实验方便快捷，操作相对简单，实验参数易于控制等优势，有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN110002488A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910399157.9

申请日：2019-05-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  边智芸 ,  陈建辉 ,  温翠莲 ,  谭小林

IPC: C01G3/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氢氧化铜纳米带取向薄膜的制备方法，将0.002~0.008mol三水硝酸亚铜和5~15mL聚乙二醇混合均匀溶解，再加入1~5g氢氧化钠颗粒后搅拌反应2~10h，形成蓝色悬浮液；再用蒸馏水和无水乙醇多次洗涤，去除杂质，并溶解在高纯度乙醇溶液中，得到氢氧化铜沉淀；将不同浓度1~10mol/mL的前驱体溶液以100~1000μL/min的速度注射到水溶液中，形成取向薄膜，然后转移到基片上，并在40~60℃真空干燥箱中烘干。本发明制备的氢氧化铜纳米带取向薄膜表面均匀，纳米带排列较一致，取向度较高，为有机、无机和有机无机杂化取向薄膜的制备方法开辟了新的可能性。