公开(公告)号：CN103173857B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210558695.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  大久保正道 ,  坂本光

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  H01L29/30 ,  B28D5/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/206 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。

公开(公告)号：CN103173857A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210558695.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  大久保正道 ,  坂本光

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  H01L29/30 ,  B28D5/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/206 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。