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公开(公告)号：CN110021602B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810013633.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H10B41/00
Abstract: 本发明题为“在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元”。本发明提供了一对存储器单元，所述存储器单元包括：形成于半导体衬底的上表面中的间隔开的第一沟槽和第二沟槽，以及设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一浮栅和第二浮栅。第一字线栅和第二字线栅分别设置在所述上表面的与所述第一浮栅和所述第二浮栅相邻的部分上方并与所述部分绝缘。源极区在所述衬底中横向地形成在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间。第一沟道区和第二沟道区分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽下方、分别沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁以及分别沿着所述上表面的设置在所述第一字线栅和所述第二字线栅下方的部分从所述源极区延伸。所述第一沟槽和所述第二沟槽分别仅包含所述第一浮栅和所述第二浮栅以及绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107278320B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201580070996.6
申请日：2015-11-06
Applicant: 硅存储技术公司
Abstract: 本发明提供了一种存储器设备(以及制造和使用所述存储器设备的方法)，所述存储器设备包括导电材料的第一电极、导电材料的第二电极和过渡金属氧化物材料层，所述过渡金属氧化物材料层包括在锐角处彼此相交的第一细长部分和第二细长部分。所述第一细长部分和所述第二细长部分中的每一个设置在所述第一电极和所述第二电极之间并与其电接触。
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公开(公告)号：CN110021602A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810013633.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 硅存储技术公司
IPC: H01L27/11517
Abstract: 本发明题为“在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元”。本发明提供了一对存储器单元，所述存储器单元包括：形成于半导体衬底的上表面中的间隔开的第一沟槽和第二沟槽，以及设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一浮栅和第二浮栅。第一字线栅和第二字线栅分别设置在所述上表面的与所述第一浮栅和所述第二浮栅相邻的部分上方并与所述部分绝缘。源极区在所述衬底中横向地形成在所述第一浮栅和所述第二浮栅之间。第一沟道区和第二沟道区分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽下方、分别沿着所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁以及分别沿着所述上表面的设置在所述第一字线栅和所述第二字线栅下方的部分从所述源极区延伸。所述第一沟槽和所述第二沟槽分别仅包含所述第一浮栅和所述第二浮栅以及绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107278320A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201580070996.6
申请日：2015-11-06
Applicant: 硅存储技术公司
Abstract: 本发明提供了一种存储器设备(以及制造和使用所述存储器设备的方法)，所述存储器设备包括导电材料的第一电极、导电材料的第二电极和过渡金属氧化物材料层，所述过渡金属氧化物材料层包括在锐角处彼此相交的第一细长部分和第二细长部分。所述第一细长部分和所述第二细长部分中的每一个设置在所述第一电极和所述第二电极之间并与其电接触。
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