公开(公告)号：CN117723919A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311004498.4

申请日：2023-08-10

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/52 ,  G01R31/54

Abstract: 本发明提供了一种覆盖W频段的异质双极晶体管小信号模型参数提取方法。通过针对待提取参数的晶体管，执行晶体管多偏置S参数和无源校准结构S参数测试；所述无源校准结构包括open结构以及short结构；根据无源校准结构执行寄生参数提取；所述寄生参数包括寄生电容、寄生电感、寄生电阻以及基极‑集电极结外部电容；对所述寄生参数进行去嵌处理，并基于去嵌后的寄生参数提取出本征参数；所述本征参数包括本征电阻、本征电容及跨导。相对于现有技术，能够实现准确描述InP HBT发射极‑集电极层叠电容效应及其偏置相关性的小信号模型参数提取，在提升InP HBT小信号模型高频精度的同时降低了参数提取难度，使其能够适用于低频至W波段的超宽带应用场景。

公开(公告)号：CN119849210A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510322512.8

申请日：2025-03-19

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  罗奕 ,  马淑佼 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公开了一种微波化合物晶体管通用多偏置噪声模型参数提取方法，涉及半导体器件建模技术领域，对晶体管进行测试，获取不同偏置下静态直流IV、S参数和噪声参数实测数据；建立大信号模型，结合多偏置静态直流IV和S参数进行非线性模型参数提取，获取非线性模型参数；进行不同偏置下的噪声特性建模，结合实测数据与非线性模型参数，提取不同偏置下的噪声模型参数；通过分段函数拟合噪声模型参数，获取其偏置相关函数；根据器件非线性模型参数、噪声模型参数和偏置相关函数建立多偏置噪声模型并结合静态直流IV、S参数与噪声参数实测数据进行验证。本发明能够基于通用的噪声模型参数偏置相关函数方程进行多偏置噪声建模。

公开(公告)号：CN117592413A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311581479.8

申请日：2023-11-24

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/367 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaN HEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指导。

公开(公告)号：CN117217158A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311223059.2

申请日：2023-09-20

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种金丝螺旋电感复合模型参数提取方法、装置及可存储介质，涉及集成电路设技术领域，其中方法包括以下步骤：S1：将待提取金丝以及待提取螺旋电感进行键合，得到对应的复合结构以及等效电路模型；S2：对所述复合结构进行场仿真，得到对应的S参数，并根据所述S参数得到对应的等效电路元件提取参数；S3：改变所述待提取金丝以及所述待提取螺旋电感的键合位置，基于不同键合位置得到多个新的复合结构以及等效电路模型，重复进行S2后，得到每个键入位置对应的等效电路元件参数提取结果等步骤；本发明考虑了螺旋电感和金丝级联的不连续性，能够提升金丝‑电感复合结构整体仿真精度。

公开(公告)号：CN117592427A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311617706.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 ,  苏祥 ,  徐跃杭

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于射频功放芯片热电仿真技术领域，公开了一种考虑封装效应的射频功放芯片热电联合仿真方法及系统，对外延层结构、材料及热参数进行定义；建立晶体管热电模型；进行芯片级热电仿真；对芯片外围封装层进行定义；进行考虑外围封装影响的芯片热电仿真。本发明基于芯片级的有限元热仿真及晶体管模型，建立了考虑外围封装影响的射频功放芯片热电效应的动态仿真方法，实现了射频时变信号激励下，带封装结构功放芯片热分布的动态仿真计算。本发明可以仿真动态热电效应，同时可以考虑晶体管间互热效应和芯片封装结构的影响，为射频功放芯片以及封装结构优化及其热管理提供重要指导。