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发明公开
一种微波化合物晶体管通用多偏置噪声模型参数提取方法审中-实审

公开(公告)号：CN119849210A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510322512.8

申请日：2025-03-19

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毛书漫 , 罗奕 , 马淑佼 , 苏祥 , 徐跃杭

IPC: G06F30/20 , G06F119/10

Abstract: 本发明公开了一种微波化合物晶体管通用多偏置噪声模型参数提取方法，涉及半导体器件建模技术领域，对晶体管进行测试，获取不同偏置下静态直流IV、S参数和噪声参数实测数据；建立大信号模型，结合多偏置静态直流IV和S参数进行非线性模型参数提取，获取非线性模型参数；进行不同偏置下的噪声特性建模，结合实测数据与非线性模型参数，提取不同偏置下的噪声模型参数；通过分段函数拟合噪声模型参数，获取其偏置相关函数；根据器件非线性模型参数、噪声模型参数和偏置相关函数建立多偏置噪声模型并结合静态直流IV、S参数与噪声参数实测数据进行验证。本发明能够基于通用的噪声模型参数偏置相关函数方程进行多偏置噪声建模。

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