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公开(公告)号：CN117272899A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311215246.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法，属于半导体器件建模与设计领域，包括晶体管电流模型参数提取；晶体管本征栅源和栅漏电容计算；边缘电容模型参数提取。本发明通过准确提取考虑反偏条件下源漏互置效应的等效栅极电压模型参数的方式，实现了对漏极反偏状态下电流特性的准确表征；利用边缘电容偏置相关模型的参数提取方法，实现了深夹断区非线性电容的准确表征，进而成功实现了开关器件关态下小信号和大信号特性的精准建模。
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公开(公告)号：CN117592413A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311581479.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaN HEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指导。
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公开(公告)号：CN117217158A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311223059.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种金丝螺旋电感复合模型参数提取方法、装置及可存储介质，涉及集成电路设技术领域，其中方法包括以下步骤：S1：将待提取金丝以及待提取螺旋电感进行键合，得到对应的复合结构以及等效电路模型；S2：对所述复合结构进行场仿真，得到对应的S参数，并根据所述S参数得到对应的等效电路元件提取参数；S3：改变所述待提取金丝以及所述待提取螺旋电感的键合位置，基于不同键合位置得到多个新的复合结构以及等效电路模型，重复进行S2后，得到每个键入位置对应的等效电路元件参数提取结果等步骤；本发明考虑了螺旋电感和金丝级联的不连续性，能够提升金丝‑电感复合结构整体仿真精度。
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公开(公告)号：CN119670662A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411721362.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种仿真功率附加效率的改进型K参数行为模型建模方法，包括以下步骤：步骤1、基于IP核的改进型K参数模型数据获取；步骤2、改进型K参数模型参数提取；步骤3、功率附加效率动态计算实现；步骤4、改进型K参数模型仿真与验证。本发明通过对K参数模型的公式进行扩展，突破了功率附加效率的动态计算方法，实现了基于K参数模型的芯片功率附加效率的仿真预测。
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公开(公告)号：CN117828888A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030200.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明属于半导体器件仿真技术领域，公开了一种基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统，TCAD仿真数据获取，对MOSFET进行电流‑电压特性仿真；数据归一化处理，对工艺参数进行归一化处理，优化输入数据；关键物理参数提取，从仿真数据中提取关键参数；工艺参数‑关键物理参数ANN模型构建，利用归一化参数和偏置电压训练人工神经网络(ANN)，输出关键物理参数；关键物理参数‑电流ANN模型构建，构建基于关键物理参数的ANN模型，预测MOSFET的漏源电流。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方法，大幅降低训练时间，加速工艺参数优化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117592427A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311617706.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于射频功放芯片热电仿真技术领域，公开了一种考虑封装效应的射频功放芯片热电联合仿真方法及系统，对外延层结构、材料及热参数进行定义；建立晶体管热电模型；进行芯片级热电仿真；对芯片外围封装层进行定义；进行考虑外围封装影响的芯片热电仿真。本发明基于芯片级的有限元热仿真及晶体管模型，建立了考虑外围封装影响的射频功放芯片热电效应的动态仿真方法，实现了射频时变信号激励下，带封装结构功放芯片热分布的动态仿真计算。本发明可以仿真动态热电效应，同时可以考虑晶体管间互热效应和芯片封装结构的影响，为射频功放芯片以及封装结构优化及其热管理提供重要指导。
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公开(公告)号：CN115728615A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211399445.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种晶体管物理基陷阱效应模型参数提取方法。针对需要提取参数的晶体管，采用脉冲IV测试模式执行常温状态下脉冲电流特性曲线测试；针对待提取参数的晶体管，执行不同温度下的瞬态电流特性曲线测试；执行晶体管电流模型的参数提取；根据不同温度下的瞬态电流提取发射时间常数，绘制Arrhenius曲线，并提取陷阱激活能和陷阱俘获截面；建立陷阱模型等效电路，根据提取的陷阱激活能和陷阱俘获截面，以及晶体管电流模型，基于静态偏置点下的脉冲IV实测数据，提取陷阱控制电势模型参数和稳态时的陷阱背景电势。相比于现有技术，提升了晶体管陷阱效应模型的建模效率，且能针对不同晶体管提取其对应的物理参数。
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公开(公告)号：CN119849210A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510322512.8
申请日：2025-03-19
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/20 , G06F119/10
Abstract: 本发明公开了一种微波化合物晶体管通用多偏置噪声模型参数提取方法，涉及半导体器件建模技术领域，对晶体管进行测试，获取不同偏置下静态直流IV、S参数和噪声参数实测数据；建立大信号模型，结合多偏置静态直流IV和S参数进行非线性模型参数提取，获取非线性模型参数；进行不同偏置下的噪声特性建模，结合实测数据与非线性模型参数，提取不同偏置下的噪声模型参数；通过分段函数拟合噪声模型参数，获取其偏置相关函数；根据器件非线性模型参数、噪声模型参数和偏置相关函数建立多偏置噪声模型并结合静态直流IV、S参数与噪声参数实测数据进行验证。本发明能够基于通用的噪声模型参数偏置相关函数方程进行多偏置噪声建模。
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公开(公告)号：CN119129503A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411245988.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G06F111/20 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本发明属于但不限于功放芯片技术领域，尤其涉及一种表格基频域行为模型参数提取方法及系统，包括：步骤1：不同输入功率下芯片输出特性测试；步骤2：功放芯片的P2D模型参数提取；步骤3：偏置电流和三阶交调产物模型文件提取；步骤4：三阶交调和功率附加效率动态计算实现；步骤5：功放芯片P2D模型仿真与实测对比验证。本发明基于表格基频域P2D行为模型，提出了一种能够表征功率附加效率和三阶交调的行为模型参数提取方法，通过结合芯片内动态漏极电流实测数据、芯片三阶交调产物输出功率和芯片基波输出功率仿真结果，突破了功率附加效率和三阶交调的动态计算方法，实现了表格基频域P2D模型的芯片功率附加效率和三阶交调的仿真预测。
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公开(公告)号：CN118611608A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410773990.6
申请日：2024-06-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波集成电路技术领域，公开了一种点频大功率高效率内匹配功率放大器及方法，本发明提供的点频大功率高效率内匹配功率放大器包括：微带线MILNn(n＝1，2，3，4，5，6)，功率管Q1，串联隔直电容C1和C7，栅极供电串联稳定电阻R1，栅极供电微带线MILN1，栅极串联隔交电感L1，漏极供电微带线MILN6，并联去耦电容C2和C7。本发明提出了一种新型的点频大功率高效率内匹配功率放大器，在输入匹配方面，通过采用二次谐波调谐支节和三次谐波调谐支节精确调节输入二次谐波和三次谐波阻抗，并实现了谐波匹配和基波匹配的分离，简化设计过程。
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