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公开(公告)号：CN117524812A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311640607.1
申请日：2023-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01J1/34
Abstract: 本发明公开了一种具有光吸收增强型的氮化镓光电阴极，涉及外延生长氮化镓光电阴极领域。提高氮化镓光电阴极的光吸收率可以显著提高光电阴极的效率。利用贴合在氮化镓光电阴极表面的介电材料改变光的相位，并且通过调整其参数来控制反射光和透射光的干涉效应，再利用金属反射层加强反射使光与介电材料充分反应从而增强光的吸收，提高氮化镓光电阴极的效率。
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公开(公告)号：CN114335455B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111479216.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明介绍了一种用于锂一次电池正极的结晶度可调的氟化软碳材料的制备方法。首先将软碳材料在正戊烷、正庚烷等溶剂中进行高能球磨，使得正戊烷、正庚烷等溶剂发生一定程度包覆、界面修饰和后续碳化，形成具有无定形碳修饰界面的软碳结构，达到调控软碳的粒径、表面结晶度和提高与电解液浸润性的目的。进一步将表面包覆有正戊烷、正庚烷等有机溶剂的软碳材料进行退火处理消除有机溶剂气体分子，在软碳表面形成碳化和石墨化结构；再进一步对软碳材料进行精准氟化得到可调氟化软碳材料。因此，本发明基于精准氟化结晶度可调的软碳材料及锂一次电池制备，得到锂氟化碳电池具有一定电学性能，为氟化碳的多种制备方法及锂/氟化碳电池的推广应用奠定重要基础。
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公开(公告)号：CN116613044A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310682129.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂的拓扑态GaN光电阴极及其制备方法。该磁性掺杂的拓扑态GaN光电阴极的结构包括：由下至上依次设置的金属膜、衬底、缓冲层、磁性掺杂的拓扑态GaN、激活层。磁性掺杂的拓扑态GaN材料具有载流子传输效率高、光谱响应范围宽、材料带隙可调的优点，是一种理想的光电材料。本发明在传统GaN光电阴极结构的基础上，采用了拓扑态的GaN材料作为光电阴极的电子发射层，其性能优良、灵活性较高，为相关材料实现宽带高响应探测的光电阴极提供了一种新的方案。
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公开(公告)号：CN115824983A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211238806.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种利用光电法测量GaN宽温谱吸收系数的方法及装置。温度在一定程度上决定了GaN材料的吸收系数等参量，并最终对GaN基光电器件的性能有着重要的影响，因此不同温度下GaN材料吸收系数的测量和确定尤为重要。现提出如下方案：所述方法为光电法；所述装置包括紫外光源、单色仪、NEA GaN温控封装组件、光电测量单元。本发明提供的方法及装置能够精确获得宽温谱范围内的GaN材料吸收系数，适用于不同掺杂浓度、扩散长度GaN吸收系数的测量，且温度测量精度可调范围大、结构简单、精确度高。
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公开(公告)号：CN115020168A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210484320.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种实时控制NEA GaN光电阴极量子效率的方法。具体方法为：步骤1、建立温度校准模型；步骤2、测量GaN光电阴极样品的量子效率QE0、波长λ0和温度T0，根据数据拟合样品参数；步骤3、将工作时的光波长λ、目标量子效率QE及拟合得到的样品参数输入到之前建立的温度校准模型中计算出理论温度T1；步骤4、设定偏离度为S，测量T1温度下的GaN光电阴极量子效率QE1并计算得到偏离度S1，若S1小于设定的偏离度S，输出温度T＝T1，若S1大于设定值，则根据T1，QE1继续拟合样品参数并修正，再次计算得到温度T2，测量T2条件下的量子效率QE2并比较偏离度S2和设定值S；步骤5、循环上述步骤，直至偏离度小于设定值，输出目标量子效率QE对应的最佳温度T。本发明能够通过自动调节温度来实时控制NEA GaN光电阴极的量子效率，具有自校准功能以及灵活可变的特点，提升了NEA GaN光电阴极的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116791193A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310685827.X
申请日：2023-06-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C30B23/02 , C30B29/48 , G01N21/21 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01N21/3563 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种用于MBE的智能生长系统及其使用方法，用于实时检测外延材料的生长情况并进行分析，同时自动调整外延材料的生长参数，进而提高外延材料的生长质量及可重复性。该系统由原位检测系统、数据分析系统、自动控制系统及其他组件构成。原位检测系统通过椭偏仪、RHEED、红外测温仪等仪器对外延材料生长情况的进行实时检测，同时对数据进行采集并传输到数据分析系统中对数据进行人工智能处理分析，并将分析结果反馈至自动控制系统对生长参数进行实时调整。本系统实现了实时监测和自动控制MBE外延生长，解决了人工监测和控制的主观性问题，优化了MBE外延生长的流程。
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公开(公告)号：CN116770425A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310684617.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种具有自补偿功能的MBE液态源炉及其使用方法。该液态源炉具有液位自补偿、突出的长时稳定束流、较好的可重复性、非暴露开腔式加注液态材料等特性，可应用于使用液态源的分子束外延领域。该液态源炉由液态材料储存系统、液位控制系统、束流发射系统构成，可以根据液态材料储存系统和生长腔的压强差来动态调节液态材料的液位高度，实现自动维持液位高度恒定。应用了该液态源炉的分子束系统，可以有效解决液态源炉中由材料消耗带来的束流稳定性差的问题，进一步提高分子束外延的性能。本发明在提出一种具有液位自补偿功能的MBE液态源炉的基础上，也提出了其使用方法。
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公开(公告)号：CN116482049A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310459512.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01N21/3563 , G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法。该装置由原位傅里叶红外光谱检测系统、样品托、衬底加热器及其他装置构成，其中样品托从中心到边缘由疏到密分布有一列光路通孔，且具有相应的补偿部件以消除通孔对导热系数的影响。该装置通过将傅里叶红外光谱检测系统原位地集成于MBE生长设备，以及样品托独特的结构设计，实现了MBE生长碲镉汞材料组分和厚度实时、原位、多点位的检测，最终提高了碲镉汞材料的质量。
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公开(公告)号：CN115832077A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211251675.4
申请日：2022-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高Hg沉积效率的衬底表面微结构及其制备方法，用于解决MBE生长碲镉汞成核阶段Hg粘附系数低及束流强度不均匀的问题，进而提高外延生长碲镉汞材料的质量。该结构为一种特定分布的同心纳米圆环槽结构，各同心圆环槽之间的间距不同，主要是根据衬底表面的束流强度分布决定。该衬底表面微结构制备主要步骤包括衬底表面处理、光刻、干法刻蚀，最终得到一种同心纳米圆环槽式的衬底表面微结构。
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公开(公告)号：CN114335455A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111479216.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明介绍了一种用于锂一次电池正极的结晶度可调的氟化软碳材料的制备方法。首先将软碳材料在正戊烷、正庚烷等溶剂中进行高能球磨，使得正戊烷、正庚烷等溶剂发生一定程度包覆、界面修饰和后续碳化，形成具有无定形碳修饰界面的软碳结构，达到调控软碳的粒径、表面结晶度和提高与电解液浸润性的目的。进一步将表面包覆有正戊烷、正庚烷等有机溶剂的软碳材料进行退火处理消除有机溶剂气体分子，在软碳表面形成碳化和石墨化结构；再进一步对软碳材料进行精准氟化得到可调氟化软碳材料。因此，本发明基于精准氟化结晶度可调的软碳材料及锂一次电池制备，得到锂氟化碳电池具有一定电学性能，为氟化碳的多种制备方法及锂/氟化碳电池的推广应用奠定重要基础。
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