公开(公告)号：CN116903381A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310872194.3

申请日：2023-07-17

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 谈姚凯 ,  邢孟江 ,  杨圆圆 ,  李小珍 ,  樊庆阳 ,  赵云生 ,  李皓

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  B28C5/38 ,  B28C5/46 ,  B28B1/29 ,  B28B3/00 ,  B28B11/24

Abstract: 本发明提供一种高导热高强度氮化硅基板制备方法，涉及半导体陶瓷基板制造技术领域。该高导热高强度氮化硅基板制备方法是将羚基共聚物改性分散剂、甲苯、无水乙醇、氧化镁、氧化钇、β‑Si3N4晶种、α‑Si3N4粉体按一定比例混合加入球磨罐中球磨24h；在球磨后的混合物中加入丙烯酸树脂以及聚酯增塑剂继续球磨48h，得到氮化硅浆料；将得到氮化硅浆料经过真空脱泡、过滤、流延成型，得到氮化硅生坯；对得到氮化硅生坯进行切割处理，得到切割后的氮化硅生坯；对切割后的氮化硅生坯进行排胶处理，得到排胶后的氮化硅生坯；将排胶后的氮化硅生坯进行气压烧结，得到氮化硅基板。本发明得到的氮化硅基板产品热导率≥90W/m·k，抗弯强度≥750MPa。