公开(公告)号：CN116598349A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310175863.1

申请日：2023-02-27

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院 ,  电子科技大学(深圳)高等研究院

Inventor： 乔明 ,  侯迪璨 ,  高悦 ,  马鼎翔 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/324 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种具有电热退火功能的可集成横向器件，元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底上，包括第二导电类型半导体漂移区、多晶栅极、场氧化层、第二导电类型半导体漏区、第二导电类型半导体体区、第二导电类型半导体源区和第一导电类型半导体接触区，及电热退火装置，电热退火装置为多晶电热退火装置或者金属电热退火装置，当器件在强电场中反复施加应力或受到辐射照射后，Si/SiO2界面产生界面损伤，热退火能修复界面损伤；通过在源极金属和漏极金属上施加电压偏置，场氧化层上方的电热退火装置携带电流产生焦耳热，形成局部升温并进行退火，从而修复应力或辐射造成的界面损伤，从而延长器件的循环耐久性，提高器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN118299419A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410336940.1

申请日：2024-03-22

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 张波 ,  高悦 ,  乔明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种横向功率半导体器件，包括第二掺杂类型的衬底、第一掺杂类型的漂移区、第二掺杂类型的第一体区、第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区、第二掺杂类型的第二体区。在硅表面有介质层，该介质层内设置源电极、栅电极、栅氧化层、硅化物阻挡层结构、场板下方二氧化硅介质层、场板下方低K介质层、漏电极。场板下方低K介质层的介电系数较低，其等效氧化层厚度更厚，降低了其上方的源场板的电场调制效应。改变源场板下方介质层材料，还可提高硅表面电场，增大器件耐压，改变栅极下方局部介质层材料，降低热载流子注入效应。本发明可优化器件表面电场，增大器件耐压，降低热载流子注入效应，提高器件可靠性，增大器件安全工作区。

公开(公告)号：CN116565024A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310682947.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 乔明 ,  马鼎翔 ,  王胜铎 ,  王嘉伟 ,  高悦 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，通过在器件介质槽内的栅极下方加入屏蔽栅Shield Gate Trench，可以起到辅助耗尽和降低开关损耗的作用。在器件的底部引入埋层，在器件的漏极和埋层之间引入连接区，可以将漏极电位引入到器件的体内，实现将载流子在经过沟道和漂移区后，能够从器件的表面引出。在本发明中，针对不同类型的SGT结构，提供了包括适用于多沟道、电压等级扩展、抗穿通设计、短沟道设计的集成SGT功率半导体结构。本发明针对SGT器件提供了可以集成的SGT结构，使得SGT器件能够集成在平面工艺中，提高芯片的集成度。

公开(公告)号：CN118692477A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410762493.6

申请日：2024-06-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 徐扬 ,  华宇豪 ,  吕晨 ,  刘佳 ,  沈玉龙 ,  杨卫东 ,  高悦

IPC: G10L21/007 ,  G10L19/02 ,  G10L25/18 ,  G10L25/27 ,  G10L25/45

Abstract: 本发明提供了针对语音语义系统的对抗攻击方法、装置及设备。其中，方法包括：获取待对抗语音信息；对待对抗语音信息进行频谱转化处理，得到待对抗频谱信息；将待对抗频谱信息输入预训练语音语义通信网络，输出对应的对抗攻击结果；预训练语音语义通信网络的损失函数为基于语义相似度损失和连接主义时序分类损失的联合结果。通过预训练语音语义通信网络对待对抗频谱信息进行对抗攻击处理，避免了现有技术语音信息的抗攻击和抗扰动性能较弱的问题；基于语义相似度损失和连接主义时序分类损失的联合损失函数设置策略，实现了对对抗攻击结果的精准生成控制，使对抗攻击结果在保持语音语义信息的基础上，提高了对通信系统识别和分类能力的有效干扰。

公开(公告)号：CN118629008A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410779197.7

申请日：2024-06-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 徐扬 ,  谢丰源 ,  吕晨 ,  刘佳 ,  沈玉龙 ,  杨卫东 ,  高悦

IPC: G06V20/58 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06N3/094 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明提供了一种用于对抗训练的交通标志对抗样本生成方法及设备。其中，一种用于对抗训练的交通标志对抗样本生成方法，采用基于实际道路和拍摄设备建模的车辆道路模型和相机成像模型获取交通标志适应样本，使得最终生成的对抗攻击样本更加贴合实际场景，提高了对抗攻击样本的质量；其次，通过风格损失、内容损失、对抗损失以及平滑损失共同作用，获取对抗攻击样本，避免了现有物理世界对抗攻击方法为了强化鲁棒性而添加过大扰动，导致对抗攻击样本隐蔽性较差的问题；最后在对抗攻击样本质量和隐蔽性提高的基础上进行第二目标检测模型的对抗性训练，进而提高了第二目标检测模型的对抗性检测效果。

公开(公告)号：CN117293182A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311250466.2

申请日：2023-09-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  王嘉伟 ,  马鼎翔 ,  高悦 ,  刘根 ,  王胜铎 ,  叶元庆 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种横向功率半导体器件版图及器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供一种集成度高、元胞密度大的横向功率半导体器件版图设计方法，具有以下优点：减小器件比导通电阻，增加单位面积内的沟道宽度、提升器件电流能力，优化器件静态特性；减小漏区面积，降低器件寄生电容；减小传统叉指状元胞栅极过长导致的元胞开关延迟时间，优化器件动态特性；优化器件元胞边缘和终端的曲率效应，降低器件提前击穿风险。除此之外，本发明提供两种缓冲层结构，进一步降低器件比导通电阻，从而改善器件安全工作区。

公开(公告)号：CN116632066A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310591908.3

申请日：2023-05-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  高悦 ,  王嘉伟 ,  马鼎翔 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种横向功率半导体器件，包括第二掺杂类型衬底、第一掺杂类型埋层、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型漂移区、第二掺杂类型第一体区、第一掺杂类型漏区、第一掺杂类型源区、第二掺杂类型第二体区、介质层、控制栅、体电极、第二掺杂类型多晶硅、第一掺杂类型多晶硅；控制栅引出，接不同电位，器件处于关闭状态时，控制栅接低电位，辅助漂移区耗尽；器件处于导通状态时，控制栅接高电位，控制栅下方硅表面感应出更多载流子，增大饱和电流降低比导通电阻。介质层厚度可增厚来降低控制栅的电场调制效应，以达到预期耐压。本发明在不降低器件耐压的情况下，具有更大的饱和电流，更小的比导通电阻，以及更快的开启速度和更低的损耗。