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公开(公告)号：CN107450653A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107402594A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN107450653B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107402594B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN107508583A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710774034.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H03K17/284 , H03K17/28
CPC classification number: H03K17/284 , H03K17/28
Abstract: 本发明涉及集成电路技术。本发明一种基于电流型电容倍增的长延时电路，能够在现有电流型电容倍增电路的基础上进行改进，来实现面积小、工艺偏差比较小的长延迟电路，其技术方案可概括为：基于电流型电容倍增的长延时电路，包括外部电源输入端、电路输出端、NMOS管一、NMOS管二、PMOS管一、电容、电流源、PMOS管二、NMOS管三、比较器、基准电压输入端及计数器。本发明的有益效果是，采用了电流型电容倍增技术，使用较小的电容即可实现长延时的目的，且加入比较器及计数器，提升计数时间后可实现更长的延时，适用于长延时电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109861761A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910156249.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/69
Abstract: 一种基于峰值采样的CMOS高速光接收电路，属于模拟集成电路技术领域。包括光电二极管、跨阻放大器、第一比较器、峰值检测模块、第二比较器、D触发器和延迟模块，光电二极管的输出电流连接跨阻放大器的输入端；峰值检测模块的输入端连接跨阻放大器的输出端、第一比较器的正向输入端和第二比较器的负向输入端，其输出端连接第二比较器的正向输入端；第二比较器的输出端一方面连接触发器的复位端，另一方面通过延迟模块后连接峰值检测模块的复位端；第一比较器的负向输入端连接基准电压，其输出端连接D触发器的时钟端；D触发器的数据输入端连接电源电压，其输出端作为光接收电路的输出端。本发明能够改善光接收电路输出占空比失真的问题。
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公开(公告)号：CN109861652A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910128387.1
申请日：2019-02-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种应用于大输入电容的高带宽高增益跨阻放大器，属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。本发明能够适应大输入电容的应用条件，尤其能够应用于大光敏面雪崩二极管阵列读出电路中，跨阻放大器包括慢通路和快通路，慢通路包含两级放大器，第一级放大器为第二NMOS管和第一NMOS管组成共源共栅结构，第二级放大器为第六NMOS管MN6组成共栅放大器，慢通路提供了系统的主要增益；第八NMOS管为共源放大器，形成一个快通道，为系统提供前馈通路，改善系统的稳定性；快通路和慢通路并联在系统中产生左半平面零点，代替传统跨阻放大器中的补偿电容，降低了系统的Q值，实现了跨阻放大器的稳定，解决了传统跨阻放大器的带宽和增益受到雪崩二极管输入电容限制的问题。
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公开(公告)号：CN109768777B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910036010.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路，属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。由第四PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第一PMOS管组成负反馈环路①，第一NMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管组成正反馈环路②，第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管组成负反馈环路③，负反馈环路③的增益大于正反馈环路②的增益。本发明通过正反馈环路和负反馈环路的共同作用能够稳定跨阻放大器电源端VDDA电压，从而改善跨阻放大器的电源抑制比，进而解决APD阵列读出电路的串扰问题。
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公开(公告)号：CN109861761B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910156249.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/69
Abstract: 一种基于峰值采样的CMOS高速光接收电路，属于模拟集成电路技术领域。包括光电二极管、跨阻放大器、第一比较器、峰值检测模块、第二比较器、D触发器和延迟模块，光电二极管的输出电流连接跨阻放大器的输入端；峰值检测模块的输入端连接跨阻放大器的输出端、第一比较器的正向输入端和第二比较器的负向输入端，其输出端连接第二比较器的正向输入端；第二比较器的输出端一方面连接触发器的复位端，另一方面通过延迟模块后连接峰值检测模块的复位端；第一比较器的负向输入端连接基准电压，其输出端连接D触发器的时钟端；D触发器的数据输入端连接电源电压，其输出端作为光接收电路的输出端。本发明能够改善光接收电路输出占空比失真的问题。
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公开(公告)号：CN109756211B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910128401.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/00
Abstract: 一种窄脉冲延时电路，属于模拟集成电路技术领域。包括差分运算放大器、电容、第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和电流镜结构，差分运算放大器的负输入端连接第一PMOS管的栅极并作为延时电路的输入端，其正输入端连接第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管的漏极以及第二PMOS管的栅极并产生延时电路的输出信号，其输出端连接第一NMOS管的栅极并通过电容后接地；第一NMOS管的源极接地；第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接电源电压；电流镜结构用于将延时电路的输出信号按照1:1的比例复制并输出。本发明能够在产生窄脉冲信号延时的同时基本保持输入信号波形形状，解决了传统电路造成的波形失真的问题，同时具有较小的版图面积。
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