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公开(公告)号：CN110492871A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910839982.6
申请日：2019-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/00 , H03K5/1252
Abstract: 一种后沿定时的恒比定时电路，包括第一电阻、第二电阻、电容和比较器，第二电阻的一端连接直流电源，其另一端连接第一电阻的一端和比较器的第一输入端并通过电容后接地；比较器的第二输入端连接第一电阻的另一端和恒比定时电路的输入信号，其输出端作为恒比定时电路的输出端；其中直流电源与输入信号的直流分量相同。本发明只对脉冲信号进行衰减，直流分量保持不变，与传统恒比定时电路中将直流分量和脉冲信号一同进行衰减相比，提高了电路的稳定性；另外本发明只用一个RC网络就实现了衰减和延时，与传统恒比定时电路中量信号分为两路分别进行衰减和延时相比结构更简单。
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公开(公告)号：CN109756211A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910128401.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/00
Abstract: 一种窄脉冲延时电路，属于模拟集成电路技术领域。包括差分运算放大器、电容、第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和电流镜结构，差分运算放大器的负输入端连接第一PMOS管的栅极并作为延时电路的输入端，其正输入端连接第一NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管的漏极以及第二PMOS管的栅极并产生延时电路的输出信号，其输出端连接第一NMOS管的栅极并通过电容后接地；第一NMOS管的源极接地；第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接电源电压；电流镜结构用于将延时电路的输出信号按照1:1的比例复制并输出。本发明能够在产生窄脉冲信号延时的同时基本保持输入信号波形形状，解决了传统电路造成的波形失真的问题，同时具有较小的版图面积。
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公开(公告)号：CN108562366A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810394391.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 一种用于单光子探测器的模拟计数电路，属于半导体光电技术领域。包括脉冲整形单元、电流镜单元、复位单元和电压跟随器，脉冲整形单元的输入端作为模拟计数电路的输入端连接雪崩脉冲信号，将雪崩脉冲信号整形后输入电流镜单元的输入端；利用低电压工作下的电流镜单元提供放电通路，其输出端连接复位单元的输出端和电压跟随器的输入端，复位单元用于控制模拟计数电路的复位，电压跟随器的输出端作为模拟计数电路的输出端。本发明提出的模拟计数电路，与传统的数字技术电路相比，结构简单，版图面积小，填充系数高，节约了制造成本；与传统的模拟计数电路相比，具有更大的计数范围。
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公开(公告)号：CN109768777B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910036010.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路，属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。由第四PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第一PMOS管组成负反馈环路①，第一NMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管组成正反馈环路②，第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管组成负反馈环路③，负反馈环路③的增益大于正反馈环路②的增益。本发明通过正反馈环路和负反馈环路的共同作用能够稳定跨阻放大器电源端VDDA电压，从而改善跨阻放大器的电源抑制比，进而解决APD阵列读出电路的串扰问题。
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公开(公告)号：CN107994071A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711305388.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/165 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种异质结沟槽绝缘栅型场效应管，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过将传统SiC UMOS器件的沟道体区与源区采用硅材料替换异质结UMOS器件，利用硅与二氧化硅之间良好的界面态以及硅材料的低禁带宽度，在保证反向耐压的同时，降低了导通电阻，提高了正向电流，并且在外加栅压使得沟道MOS电容迅速减小，栅压达到阈值电压后，反向传输电容减小，从而得到提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗。并且通过合理设置保护区和JFET区，解决了由于SiC与Si界面势垒损害器件正向导通性能的问题以及由于沟槽栅结构底部电场集中效应、栅氧化层稳定性差以及硅低禁带宽度所导致耐压特性不足的问题，使得器件具有良好的反向耐压能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107957299A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711211023.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 一种碳化硅线性温度传感器及其测温方法和制造方法，属于半导体器件技术领域。本发明包括碳化硅N-外延层顶层的P阱，P阱顶层中央结深较浅的N阱，位于N阱中央的N型碳化硅欧姆接触区，位于N型碳化硅欧姆接触区上表面的欧姆接触电极，位于N阱两端的N型肖特基接触电极和位于器件表面的钝化层。本发明采用横向设计得到一种基于双肖特基二极管结构的碳化硅温度传感器，一方面可以消除反向饱和电流对传感器线性度的影响，提高其线性度，另一方面引入扩散电阻Rs与温度的线性依赖关系，提高器件的灵敏度；同时本发明提出的器件结构为横向结构，相比现有纵向结构易于集成，并且藉由P阱的隔离作用，能够降低传感器主器件之间的串扰，增加了其与N型外延功率器件集成的可行性。
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公开(公告)号：CN110492871B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910839982.6
申请日：2019-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/00 , H03K5/1252
Abstract: 一种后沿定时的恒比定时电路，包括第一电阻、第二电阻、电容和比较器，第二电阻的一端连接直流电源，其另一端连接第一电阻的一端和比较器的第一输入端并通过电容后接地；比较器的第二输入端连接第一电阻的另一端和恒比定时电路的输入信号，其输出端作为恒比定时电路的输出端；其中直流电源与输入信号的直流分量相同。本发明只对脉冲信号进行衰减，直流分量保持不变，与传统恒比定时电路中将直流分量和脉冲信号一同进行衰减相比，提高了电路的稳定性；另外本发明只用一个RC网络就实现了衰减和延时，与传统恒比定时电路中量信号分为两路分别进行衰减和延时相比结构更简单。
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公开(公告)号：CN108538865B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810394401.8
申请日：2018-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L21/82
Abstract: 一种硅基三光电探测器，属于半导体光电器件领域。包括P型衬底和设置在P型衬底上的深N阱，P型衬底和深N阱构成屏蔽二极管PD1；深N阱上设置有P阱，P阱外围设置有N阱，P阱和深N阱构成第一工作二极管PD2；N阱内设置第一N+扩散区，P阱内设置第二N+扩散区，第二N+扩散区和P阱构成第二工作二极管PD3；P阱内位于第二N+扩散区外围且不与N+扩散区接触的位置处设置第一P+扩散区，在P型衬底表面且位于N阱外围处设置第二P+扩散区；第一N+扩散区和第二N+扩散区引出电极接阴极，第一P+扩散区引出电极接阳极，第二P+扩散区引出电极接地。本发明提高了器件的响应度和量子效率，扩大了光探测范围，可以适用于高速应用场合。
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公开(公告)号：CN109861761A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910156249.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/69
Abstract: 一种基于峰值采样的CMOS高速光接收电路，属于模拟集成电路技术领域。包括光电二极管、跨阻放大器、第一比较器、峰值检测模块、第二比较器、D触发器和延迟模块，光电二极管的输出电流连接跨阻放大器的输入端；峰值检测模块的输入端连接跨阻放大器的输出端、第一比较器的正向输入端和第二比较器的负向输入端，其输出端连接第二比较器的正向输入端；第二比较器的输出端一方面连接触发器的复位端，另一方面通过延迟模块后连接峰值检测模块的复位端；第一比较器的负向输入端连接基准电压，其输出端连接D触发器的时钟端；D触发器的数据输入端连接电源电压，其输出端作为光接收电路的输出端。本发明能够改善光接收电路输出占空比失真的问题。
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公开(公告)号：CN108599750A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810061829.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/041
Abstract: 一种SiC-BJT的单电源驱动电路，属于电力电子技术领域。包括提供脉冲电流的动态支路、提供静态电流的恒流支路以及控制开关的逻辑控制电路，其中动态支路又分为正脉冲支路和负脉冲支路；数字逻辑控制电路用于产生第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号；恒流支路的输入端在第一控制信号的控制下连接电源电位或地电位，其输出端连接SiC-BJT的基极；正脉冲支路的输入端在第二控制信号的控制下连接电源电位或开路，其输出端连接SiC-BJT的基极；负脉冲支路的输入在第三控制信号的控制下连接地电位或开路，其输出端连接SiC-BJT的基极。本发明可以实现脉冲电流宽度的调整，减小动态损耗，同时采用单电源设计，在一定程度上简化了驱动电路结构。
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