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公开(公告)号：CN103579323B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310568187.0
申请日：2013-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极7与阴极8，所述N型漂移区4中设置有P型基区3，所述P型基区3中设置有N型源区1和P型阴极区2，其特征在于，所述N型源区1的宽度为50～200μm，所述P型基区3的掺杂浓度为1×1013～8×1013cm-2。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的WC-IGBT器件，解决了IGBT不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题。本发明尤其适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。
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公开(公告)号：CN103578959B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310585511.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。
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公开(公告)号：CN104022149B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410275726.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远离栅极(11)的一侧；N型衬底(6)下层设置有N型阳极区(8)，N型阳极区(8)与P型阳极区(7)连接并与P型源区(1)位于同一侧；其中，P型源区(1)与N型阳极区(8)及其之间的P型基区(5)和N型衬底(6)构成反向PIN管。本发明的有益效果为，提供了具有更大反向电流能力的MCT器件，解决了常规MCT在脉冲放电过程中会遇到大的反向过冲电压问题。本发明尤其适用于MOS场控晶闸管。
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公开(公告)号：CN103956381B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410190970.2
申请日：2014-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进，增大了P+阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制，在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应，能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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公开(公告)号：CN103578959A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585511.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/331
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/0615 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956381A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410190970.2
申请日：2014-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/423 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/0839 , H01L29/42308 , H01L29/749
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进，增大了P+阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制，在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应，能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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公开(公告)号：CN104393034A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410685885.3
申请日：2014-11-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/74 , H01L29/423 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/41716 , H01L29/66363
Abstract: 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P-N结两层结构，相对于常规MGT阴极P-N-P三层结构，本发明的阴极P-N结两层结构使用两重扩散工艺，制作简单，兼容于IGBT制造工艺；器件栅下沟道为具有常关特性的N型沟道，关断时不需要额外加负电压，降低了系统复杂性，增加了系统的可靠性。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管及其制造。
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公开(公告)号：CN104022149A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410275726.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/06 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/745 , H01L29/0619 , H01L29/66363
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远离栅极(11)的一侧；N型衬底(6)下层设置有N型阳极区(8)，N型阳极区(8)与P型阳极区(7)连接并与P型源区(1)位于同一侧；其中，P型源区(1)与N型阳极区(8)及其之间的P型基区(5)和N型衬底(6)构成反向PIN管。本发明的有益效果为，提供了具有更大反向电流能力的MCT器件，解决了常规MCT在脉冲放电过程中会遇到大的反向过冲电压问题。本发明尤其适用于MOS场控晶闸管。
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公开(公告)号：CN103972086A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410226744.5
申请日：2014-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/332
CPC classification number: H01L29/66363 , H01L29/0615
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明的方法的主要步骤为：制备衬底；进行正面P型杂质离子注入，在N型漂移区上层形成P型掺杂层，所述P型掺杂层的浓度为不均匀的；在N型漂移区上层进行栅氧热生长，栅氧层上进行多晶硅栅淀积；进行正面N型杂质离子注入，在P型掺杂层上层形成N型掺杂层，所述N型掺杂层的浓度为不均匀的；在N型掺杂层上层制作P+阴极接触区；在P型衬底背面制作阳极区。本发明的有益效果为，在不损害器件耐压及正向导通能力情况下，能提高器件的dV/dt抗性能力，并且本发明的实现方式能与现有工艺相兼容。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管的制造。
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公开(公告)号：CN103579323A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310568187.0
申请日：2013-11-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/1095
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极7与阴极8，所述N型漂移区4中设置有P型基区3，所述P型基区3中设置有N型源区1和P型阴极区2，其特征在于，所述N型源区1的宽度为50～200μm，所述P型基区3的掺杂浓度为1×1013～8×1013cm-2。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的WC-IGBT器件，解决了IGBT不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题。本发明尤其适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。
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