公开(公告)号：CN103579323B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310568187.0

申请日：2013-11-14

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  杨骋 ,  肖琨 ,  王珣阳 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。本发明的一种宽元胞绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括由阳极9与阳极区5组成的阳极结构、位于阳极区5上的N型漂移区4和位于N型漂移区4上的栅极7与阴极8，所述N型漂移区4中设置有P型基区3，所述P型基区3中设置有N型源区1和P型阴极区2，其特征在于，所述N型源区1的宽度为50～200μm，所述P型基区3的掺杂浓度为1×1013～8×1013cm-2。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的WC-IGBT器件，解决了IGBT不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题。本发明尤其适用于脉冲功率应用的绝缘栅双极型晶体管。

公开(公告)号：CN102723369B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210191065.X

申请日：2012-06-12

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  汪志刚 ,  齐跃 ,  张波 ,  李泽宏

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

Abstract: 一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结模式下，以达到降低二极管导通压降的目的。本发明所述的二极管在具有常规P-i-N二极管的高阻断电压和低漏电流优势的同时，能够获得更低的导通压降和更快的反向恢复速度，进而大幅度降低二极管在电路应用中产生的功耗。

公开(公告)号：CN103578959B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310585511.X

申请日：2013-11-19

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  肖琨 ,  王珣阳 ,  杨骋 ,  张波

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

公开(公告)号：CN102623492A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210098651.X

申请日：2012-04-06

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  齐跃 ,  张波

IPC: H01L29/745 ,  H01L29/749 ,  H01L29/06

Abstract: 一种MOS场控晶闸管(MCT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明将普通MCT的P型体区向下延伸、延伸区插入N-型漂移区，以增大P型体区与N-漂移区的接触面积，增加少数载流子的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。当P型延展区与N-型漂移区恰好达到电荷平衡时，电荷平衡的P型延展区与N-型漂移区恰好形成超结结构(SuperJunction)，这种情况下的MOS场控晶闸管能进一步优化反向耐压特性，降低器件的导通压降。本发明快速关断的特性，可显著提高器件的工作频率，使器件比常规MCT有更广的应用范围，更适合应用于高压开关电路中。

公开(公告)号：CN116631993A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310672586.5

申请日：2023-06-07

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  王茁成 ,  潘慈 ,  王晨曦 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种GaN功率器件多芯片堆叠封装结构。GaN功率器件多芯片堆叠封装结构包括GaN芯片、衔接板和底座基板。衔接板上有通孔和三个电极，第一和第二电极设置在衔接板的正面，第三电极则通过通孔设置在衔接板的背面；GaN芯片设置在衔接板上，GaN芯片的栅极和第一电极电性连接，GaN芯片的源极和漏极分别与第二和第三电极电性连接；衔接板可固定插入到底座基板上，GaN芯片可进行堆叠分布，并与底座基板对应的电极部分电性连接。相比于传统的GaN功率器件封装形式，本发明能够进一步减小PCB板上的占用面积，提高器件的功率密度。

公开(公告)号：CN113644129B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202110925423.4

申请日：2021-08-12

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  王茁成 ,  罗攀 ,  王方洲 ,  刘超 ,  陈万军

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台阶式依次减薄，在正向导通时，较薄的台阶处正向开启电压较小，使得器件开启电压减小。当器件处于反向阻断状态时，通过台阶式P型GaN漏极结构对沟道电场的调制，优化了反向阻断时漏极区域沟道电场分布，提升了器件逆向阻断电压。本发明的有益成果：对比传统的肖特基势垒漏极逆阻型HEMT器件，器件的逆向阻断电压提升，反向耐压时漏极区域沟道电场分布得到优化。

公开(公告)号：CN113054004A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110264250.6

申请日：2021-03-11

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  赖静雪 ,  刘超 ,  陈万军

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/765

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构。相对于传统凹槽隔离结构，本发明在凹槽隔离结构内部设置金属电极，该隔离金属电极连接负电源(或零电位)，通过改变凹槽结构的形状，绝缘层介质在不同位置的厚度和形状，凹槽内形成的金属电极的数目和位置，以及不同金属电极的电位来调整所述隔离结构产生的反向电场，以此影响高压器件与低压器件之间的电场分布，达到抑制高低压器件间串扰现象的作用。本发明的有益效果：有效抑制高低压器件之间的串扰现象，占据面积小，成本较低。

公开(公告)号：CN107910370A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711119247.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  崔兴涛 ,  施宜军 ,  李茂林 ,  刘杰 ,  刘超 ,  周琦 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向整流器件。为优化氮化镓横向整流器的器件导通功耗与器件耐压之间的矛盾关系，本发明提出了一种具有复合栅结构的氮化镓异质结横向整流器。本发明的复合栅极结构由增强型栅结构和耗尽型栅结构两部分构成。通过优化器件的增强型栅结构和耗尽型栅结构的尺寸，可以使器件同时具有低的导通电阻和高的反向耐压。同时本发明的制造工艺与传统氮化镓HEMT器件工艺兼容，可以实现与传统氮化镓HEMT器件的单片集成。

公开(公告)号：CN107910369A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711118998.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  施宜军 ,  崔兴涛 ,  李茂林 ,  刘杰 ,  刘超 ,  周琦 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393

Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓异质结双向开关器件。本发明提出了一种无欧姆接触的氮化镓双向开关器件，可避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。本发明基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触和肖特基漏极接触。同时本发明通过两个绝缘栅结构来改变器件的工作状态，实现双向开关器件的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件工艺可以与传统的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN107845630A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201711000666.7

申请日：2017-10-24

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 陈万军 ,  信亚杰 ,  施宜军 ,  崔兴涛 ,  李茂林 ,  李佳 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基单片集成式半桥电路。与常规的由分立器件组成的半桥电路不同的是，本发明将两个增强型GaN HEMT及GaN基二极管集成至同一芯片模块上，这便于降低寄生电感，增加开关管开关速度，从而降低开关管开关功耗。同时，在半桥电路的下管两端反向并联场控二极管，这能够减小二极管电极与下管电极之间的寄生电感，使二极管与下管沟道之间能够实现快速的换流。同时，由于场控二极管的正向导通压降较低，能大幅度降低死区时间导通压降，提高系统的效率。另外，由于场控二极管制备工艺与增强型GaN HEMT完全兼容，大大降低了制备工艺的复杂程度。该型半桥电路模块适用于Buck、Boost及Buck-Boost电路等。