一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104359561A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410674373.7

    申请日:2014-11-21

    Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器及其制备方法,属于柔性红外传感器制备领域。包括衬底和位于衬底之上的红外敏感材料,所述红外敏感材料为P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列形成的P-N结,所述P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列上均设置有电极。该柔性红外传感器采用P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列组成的P-N结作为红外敏感材料,当器件受到红外光照射时,可通过测试P-N结开路电压来表征红外响应,降低了功耗,无需使用电压或电流源表,方便使用,且该柔性传感器可重复弯曲而不影响器件的性能,具有良好的稳定性。

    一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN103913487A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410177504.0

    申请日:2014-04-29

    Abstract: 本发明提供了一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法,主要包括以下步骤:按照一定的体积比,在偏钒酸铵溶液中按顺序加入硝酸锶溶液和硝酸镧溶液,得到的混合液用氨水调节PH至4-6.5;得到的混合液转移至水热釜中,并置于烘箱中160℃反应16h,得到的产物置于真空烘箱中干燥,得到锶掺杂的LaVO4前驱体;将锶掺杂的LaVO4前驱体放入管式炉中,在650℃、氢气气氛下热处理2h,随炉降温得到锶掺杂的LaVO3纳米线。本发明得到的锶掺杂的LaVO3纳米线很长,在常温下对氨气有明显的响应,制得的气敏传感器电阻随温度变化小,有效避免了温度变化带来的误差,稳定性好。

    一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法

    公开(公告)号:CN102815691B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201210341670.0

    申请日:2012-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液,通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱液薄膜并放入恒温箱中烘干;步骤2:将步骤1中烘干后的含铁的前驱液薄膜放入管式炉中真空退火得到均匀的含铁薄膜;步骤3:对步骤2中得到的含铁薄膜在一定温度下进行一次还原得到铁催化剂薄膜;步骤4:碳纳米管-多层石墨烯复合结构的制备。本发明的有益效果是:实现了直接一步合成碳纳米管-多层石墨烯复合结构的目的,因此方法简单,成本低廉,易于大量制备。

    高密度超薄柔性压力传感器阵列制备方法及传感器

    公开(公告)号:CN119714625A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411727616.9

    申请日:2024-11-28

    Abstract: 本发明提供一种高密度超薄柔性压力传感器阵列制备方法,包括:制备具有多孔结构且导电粒子均匀分布的多孔导电胶体,多孔导电胶体的组分为碳纳米管与聚二甲基硅氧烷;使用双面热释放胶带和水溶胶带将金属箔平整固定在玻璃片上,对金属箔进行激光切割制备阵列金属电极;使用粘合剂在多孔导电胶体的顶面和底面分别通过粘接固定阵列金属电极,使阵列金属电极在顶面和底面的方向交叉、呈90度夹角;通过水流溶解水溶胶带,再烘干得到高密度超薄柔性压力传感器阵列。本发明可以解决用于可穿戴医疗电子产品的大面积柔性压力传感器,不能兼顾高灵敏度和宽压力检测范围之技术问题。

    一种适用于阵列电路的双层可拉伸电路的制备方法

    公开(公告)号:CN117241475B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311259368.5

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于阵列电路的双层可拉伸电路的制备方法。该方法在铜电路层图形化过程中采用热释放临时键合基底固定,所采用的热释放临时键合基底能够耐受图形化工艺过程的环境和温度;并且通过采用不同的释放温度的热释放临时键合基底实现不同加工面的切换,确保了可拉伸电路在加工过程中始终保持固定;元器件焊接过程中采用了高强度、耐高温且能快速释放的水溶性临时键合基底,该基底耐受回流焊的高温,确保高温下临时键合基底依旧能够贴附电路确保电路不发生变形。该方法使得规模化生产可拉伸电路板成为可能。

    一种适用于阵列电路的双层可拉伸电路的制备方法

    公开(公告)号:CN117241475A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311259368.5

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于阵列电路的双层可拉伸电路的制备方法。该方法在铜电路层图形化过程中采用热释放临时键合基底固定,所采用的热释放临时键合基底能够耐受图形化工艺过程的环境和温度;并且通过采用不同的释放温度的热释放临时键合基底实现不同加工面的切换,确保了可拉伸电路在加工过程中始终保持固定;元器件焊接过程中采用了高强度、耐高温且能快速释放的水溶性临时键合基底,该基底耐受回流焊的高温,确保高温下临时键合基底依旧能够贴附电路确保电路不发生变形。该方法使得规模化生产可拉伸电路板成为可能。

    一种EEPROM数据可靠性校验方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116246690A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310319689.3

    申请日:2023-03-28

    Inventor: 林媛 王单 黄振龙

    Abstract: 本发明属于数据存储技术领域,具体提供一种EEPROM数据可靠性校验方法,用于判断EEPROM存储的数据是否发生了非预期的变化。本发明包括:ECC校验与自检功能,EEPROM的最高地址写入对所有数据进行CRC计算的结果;ECC校验包括:ECC编码与ECC解码,ECC编码对待写入数据进行编码并写入;ECC解码对读出数据进行解码校验,并将错误信息反馈至主机;主机发送自检请求并对EEPROM所有地址进行依次读数据操作,读出数据经解码校验后输入至自检模块进行CRC计算,若ECC校验结果未出错且CRC计算结果为0、则判定数据可靠,否则、判定数据不可靠。本发明通过ECC校验与自检功能组合实现了对EEPROM数据可靠性的校验,进而实现提高系统可靠性的目的。

    一种适用于规则曲面电路的接触式曝光装置、曲面电路的制备方法

    公开(公告)号:CN118838131A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411100718.8

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 本发明提供一种适用于规则曲面电路的接触式曝光装置、曲面电路的制备方法,属于曝光装置技术领域。通过将规则曲面上设计图案展开成多个连续的梭形图案块,实现原本曲面图案转化成平面图案;依据转化后的平面图案设计对应的掩模版,其中保留的图案区域为透光区域,其余区域为不透光区域。之后利用本发明曝光装置,对规则曲面表面的感光油墨进行曝光,即可实现将掩模版上图案转移到规则曲面的表面。此曝光过程,样品台的旋转与掩模版的水平移动再结合光源实现掩模版上图案的转移,从而实现规则曲面电路的制备。

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