公开(公告)号：CN101944530A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010264747.X

申请日：2010-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张波 ,  樊航 ,  蒋苓利 ,  韩山明 ,  刘娟

IPC: H01L27/04

Abstract: 一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明用单个控制电路来控制多个ESD保护电路，节省控制电路所占的硅片面积。同时在主ESD泄放通道之外提供一些辅助的ESD泄放通道。用控制电路减小ESD保护电路的触发电压，防止与ESD保护器件相并联的内部电路器件先崩溃导通从而导致芯片的抗ESD能力下降，并使多指结构的MOS器件更加均匀开启。

公开(公告)号：CN101840918B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201019087047.5

申请日：2010-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋苓利 ,  张波 ,  樊航 ,  乔明 ,  刘娟 ,  韩山明 ,  钟昌贤

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/87 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。

公开(公告)号：CN101944530B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010264747.X

申请日：2010-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张波 ,  樊航 ,  蒋苓利 ,  韩山明 ,  刘娟

IPC: H01L27/04

Abstract: 一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明用单个控制电路来控制多个ESD保护电路，节省控制电路所占的硅片面积。同时在主ESD泄放通道之外提供一些辅助的ESD泄放通道。用控制电路减小ESD保护电路的触发电压，防止与ESD保护器件相并联的内部电路器件先崩溃导通从而导致芯片的抗ESD能力下降，并使多指结构的MOS器件更加均匀开启。

公开(公告)号：CN101840918A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201019087047.5

申请日：2010-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋苓利 ,  张波 ,  樊航 ,  乔明 ,  刘娟 ,  韩山明 ,  钟昌贤

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/87 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。