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公开(公告)号：CN101840918B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201019087047.5
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/87 , H01L29/0649 , H01L29/0692
Abstract: 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN101840918A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201019087047.5
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/87 , H01L29/0649 , H01L29/0692
Abstract: 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN101826523B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201019087049.4
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD的触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。另外，通过栅控二极管的栅控偏置电压的改变可调制SCR ESD保护电路结构的触发电压；同时通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明适用于CMOS、BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN101826523A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201019087049.4
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD的触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。另外，通过栅控二极管的栅控偏置电压的改变可调制SCR ESD保护电路结构的触发电压；同时通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明适用于CMOS、BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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