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公开(公告)号：CN106253893B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610571228.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种基于人工神经网络算法的高精度微机补偿晶体振荡器。该晶体振荡器包括控制PC、控制电压产生模块和晶体振荡模块，控制电压产生模块由微处理器、D/A、A/D、温度传感器和频率计组成，其作用是在微处理器程序控制下，产生非线性补偿电压；其中，微处理器采用人工神经网络算法产生非线性补偿电压。本发明利用人工神经网络算法产生变容二极管两端所需的控制电压，通过对人工神经网络的训练，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对温度呈非线性函数的控制电压，该电压通过控制变容二极管的容值精确补偿TCXO和VCTCXO的频率因温度变化产生的偏移，显著改善其频率稳定度。
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公开(公告)号：CN106849882A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710049060.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于人工神经网络的超宽带低噪声放大器，属于射频集成电路领域。包括控制电压产生模块和超宽带低噪声放大器模块，超宽带低噪声放大器模块包括由第二NMOS管M3和第二PMOS管M4构成的可变电阻，控制电压产生模块由传感器、数据选择器、输入数据处理单元、人工神经网络和输出数据处理单元组成，利用人工神经网络自身固有的非线性映射能力，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对频率呈非线性关系的控制电压并加到第二NMOS管M3和第二PMOS管M4的栅极改变其可变电阻阻值，从而在保证带宽、增益以及优良匹配的条件下最大化的改善电路的噪声数据NF。
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公开(公告)号：CN107104647A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710134122.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03F3/21 , H03F1/3205 , H03F1/342 , H03F1/565
Abstract: 本发明属于神经网络以及功率放大器技术领域，具体为一种基于神经网络的功率放大器。本发明采用反馈技术，将线性度提高电路模块与功率放大电路和功率驱动电路连接，通过电容和电阻组成的反馈网络产生180度的相移，使耦合信号在一定程度上相抵消，降低共栅器件对功率放大器线性度的影响；通过功率放大器与基于神经网络的幅度控制电路模块相连，实现幅度控制；并且本发明结构简单、功耗低、面积小。
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公开(公告)号：CN105932976A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610353344.X
申请日：2016-05-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/19
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种用于晶体振荡器的温度补偿电路。本发明的温度补偿电路产生对温度呈三次方函数的基准电压Vref，在控制信号Cont_Rm1、Cont_Rm2、Cont_Rm3和Cont_NL作用下，实现对输出基准电压的大小、一次项系数、二次项系数、三次项系数的控制，从而根据不同的晶体的温度‑频率特性，改变基准电压的温度系数以及零温度系数点。该基准电压控制变容二极管的容值，从而精确补偿晶体振荡器的振荡频率因温度变化产生的偏移，提高频率的温度稳定度。本发明实现了对不同温度特性的晶体，产生温度系数以及零温度系数点不同的基准电压，灵活性高，补偿精度高，电路结构简单，成本低，易于小型化和集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104647B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710134122.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于神经网络以及功率放大器技术领域，具体为一种基于神经网络的功率放大器。本发明采用反馈技术，将线性度提高电路模块与功率放大电路和功率驱动电路连接，通过电容和电阻组成的反馈网络产生180度的相移，使耦合信号在一定程度上相抵消，降低共栅器件对功率放大器线性度的影响；通过功率放大器与基于神经网络的幅度控制电路模块相连，实现幅度控制；并且本发明结构简单、功耗低、面积小。
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公开(公告)号：CN106849882B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201710049060.6
申请日：2017-01-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于人工神经网络的超宽带低噪声放大器，属于射频集成电路领域。包括控制电压产生模块和超宽带低噪声放大器模块，超宽带低噪声放大器模块包括由第二NMOS管M3和第二PMOS管M4构成的可变电阻，控制电压产生模块由传感器、数据选择器、输入数据处理单元、人工神经网络和输出数据处理单元组成，利用人工神经网络自身固有的非线性映射能力，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对频率呈非线性关系的控制电压并加到第二NMOS管M3和第二PMOS管M4的栅极改变其可变电阻阻值，从而在保证带宽、增益以及优良匹配的条件下最大化的改善电路的噪声数据NF。
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公开(公告)号：CN105932976B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610353344.X
申请日：2016-05-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域,具体为种用于晶体振荡器的温度补偿电路。本发明的温度补偿电路产生对温度呈三次方函数的基准电压V,在控制信号Cont_R、Cont_R、Cont_R和Cont_NL作用下,实现对输出基准电压的大小、次项系数、二次项系数、三次项系数的控制,从而根据不同的晶体的温度‑频率特性,改变基准电压的温度系数以及零温度系数点。该基准电压控制变容二极管的容值,从而精确补偿晶体振荡器的振荡频率因温度变化产生的偏移,提高频率的温度稳定度。本发明实现了对不同温度特性的晶体,产生温度系数以及零温度系数点不同的基准电压,灵活性高,补偿精度高,电路结构简单,成本低,易于小型化和集成化。
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公开(公告)号：CN106374838A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610727316.X
申请日：2016-08-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B1/04 , H03B5/1278
Abstract: 本发明属于频带调制-超宽带发射机以及压控振荡器技术领域，提供一种用于FM-UWB发射机的带自动幅度控制的LC振荡器，包括压控振荡器核心电路模块、偏置电压产生电路模块和自动幅度控制电路模块，压控振荡器核心电路模块采用互补交叉耦合LC压控振荡器，自动幅度控制电路模块由高频全波整流器、RC滤波电路和电压控制电流源组成，高频全波整流器的输入端与互补交叉耦合LC压控振荡器的输出端相连接、输出端与RC滤波电路连接，RC滤波电路的输出端与所述电压控制电流源相连接，电压控制电流源的输出端与所述互补交叉耦合LC压控振荡器中尾电流管的栅极相连。本发明能够实现低相位噪声宽调谐范围的压控振荡器的自动输出幅度控制。
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公开(公告)号：CN106253893A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610571228.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03L1/022 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种基于人工神经网络算法的高精度微机补偿晶体振荡器。该晶体振荡器包括控制PC、控制电压产生模块和晶体振荡模块，控制电压产生模块由微处理器、D/A、A/D、温度传感器和频率计组成，其作用是在微处理器程序控制下，产生非线性补偿电压；其中，微处理器采用人工神经网络算法产生非线性补偿电压。本发明利用人工神经网络算法产生变容二极管两端所需的控制电压，通过对人工神经网络的训练，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对温度呈非线性函数的控制电压，该电压通过控制变容二极管的容值精确补偿TCXO和VCTCXO的频率因温度变化产生的偏移，显著改善其频率稳定度。
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