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公开(公告)号：CN111987152B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010942729.6
申请日：2020-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，包括P型衬底、P阱、N型漂移区；源区P+注入、右侧源区N+注入、N+注入、薄栅氧化层、NMOS多晶硅、LDMOS厚栅氧化层、LDMOS多晶硅、LDMOS场氧化层、漏极N+注入，本发明和传统的BCD工艺相兼容，不需要添加任何特殊的工艺步骤；本发明提出的结构，在不改变器件宽长比的情况下，采用了薄栅NMOS作为控制常规LDMOS漏电流从漏极流向源极的开关，能够降低总剂量辐照后产生的泄漏电流，提高总剂量的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN105955389B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610467033.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体电路提供偏置，得益于该偏置的动态特性，该基准源有较高的电源抑制比。基准核心电路产生基准电压且进行低温补偿。高温补偿电路为该基准电压源提供高温补偿，使得该电压源的具有很小的温度系数。
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公开(公告)号：CN114551574B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210189091.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
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公开(公告)号：CN109327938B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811388142.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B45/30 , H05B45/345
Abstract: 一种LED驱动电路的电感电流谷值检测方法和恒流控制方法，属于电子电路技术领域。电感电流谷值检测方法检测LED驱动电路第n个工作周期内电感电流谷值的方法为：首先利用LED驱动电路的基准电压和采样电阻计算电感电流的平均电流；然后在开关管开启时检测第n个工作周期内采样电阻两端电压的最大值；根据流过采样电阻的电流与流过电感的电流相同，利用采样电阻两端电压最大值和采样电阻计算第n个工作周期内电感电流的峰值；最后利用第n个工作周期内电感电流的平均电流和峰值电流计算电感电流的谷值。LED驱动电路的恒流控制方法通过将每个工作周期的电感电流谷值设置为上一个工作周期内的电感电流的谷值电流，从而实现恒流控制。
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公开(公告)号：CN109687861B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811612718.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
Abstract: 一种抗噪声的高压栅驱动电路，属于模拟集成电路技术领域。包括高压电平位移模块、共模噪声消除电路、RS锁存器和驱动模块，高压电平位移模块通过LDMOS管来实现对信号电平的提高，将输入的两路低压脉冲控制信号转换成高压脉冲信号并连同高压共模信号输出至共模噪声消除电路，共模噪声消除电路利用差模放大器的原理实现对共模噪声的消除，RS锁存器和驱动模块将消除噪声后的窄脉冲信号重新转变成输出信号用于驱动高侧功率管。本发明可以消除各种共模干扰噪声，能够适用于更窄的窄脉冲输入信号，具有更低的电路功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105955389A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610467033.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体电路提供偏置，得益于该偏置的动态特性，该基准源有较高的电源抑制比。基准核心电路产生基准电压且进行低温补偿。高温补偿电路为该基准电压源提供高温补偿，使得该电压源的具有很小的温度系数。
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公开(公告)号：CN116093137A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310248664.9
申请日：2023-03-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体地说是涉及一种抗单粒子辐照的高压LDMOS器件结构。该器件包括P型衬底、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、N型缓冲层、多晶硅，本发明提出的结构，在不改变固有尺寸的情况下，引入了N型缓冲层和局部埋氧层，N型缓冲层改变了器件内部电场分布，重建峰值电场的位置，局部埋氧层重建电子电流和空穴电流的路径，降低寄生双极型晶体管(BJT)的风险，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。
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公开(公告)号：CN114551574A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210189091.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高压单粒子加固LDMOS器件，包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、漏极N+注入、多晶硅，本发明通过缩短常规器件原N+掺杂横向漏区的宽度和添加一个N‑掺杂，使pn结变成两个二极管，且两个正极连接，N‑N+也形成一个新的反向二极管从漂移区到漏区，从而减少雪崩击穿的可能性，对于传统的LDMOS器件，源的寄生p‑n‑p‑n(SCR)结构的正反馈和漏极的雪崩击穿会导致整个器件烧毁，结果表明，单粒子加固LDMOS的击穿电压从660V下降到569V，降低了13.7％，SEB阈值电压从197V上升到291V，提高了47.7％。在安全BV以下，随着Vth‑SEB的增加，LDMOS系统的安全性和可靠性可以得到极大的提高。
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公开(公告)号：CN113594256A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110951397.2
申请日：2021-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si‑SiO2的复合中心，可以减小电子空穴对的碰撞电离，能够让粒子束轨迹上的非平衡载流子快速复合，从而减小了瞬态电流的脉宽，提高了抗单粒子瞬态效应的能力。
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公开(公告)号：CN108880527B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810937823.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 一种兼容多电平输入的接口电路，属于集成电路技术领域。包括基准预稳压模块、基准核心模块、滞回比较模块和阈值控制模块，基准预稳压模块用于将电源电压转换为稳定的低电源电压为基准核心电路供电；基准核心模块用于产生第一基准电压和第二基准电压，滞回比较模块在阈值控制模块的控制下，将第一基准电压或第二基准电压接入滞回比较模块与输入信号做比较。本发明能够作为IPM的接口电路，具有能够兼容多种不同的输入电平、供电电压取值范围宽、在不同的工作电压和温度下抗噪声的能力稳定、面积小以及成本低的特点。
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