-
公开(公告)号：CN105811960A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120864.6
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018507
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，特别涉及一种用于薄栅氧MOS管的电平位移电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用厚栅氧MOS管做驱动级，本发明的电平位移电路使用薄栅氧MOS管做驱动级，减小电平位移电路的功率损耗，提高高压电源转换器的工作频率。本发明的有益效果为，相比原有的电平位移电路结构，本发明的电平位移电路使用电容做负载，利用第二电容、第三电容来保护第一PMOS管、第一功率PMOS管的栅极，使得栅极电压浮动范围在5V以内，能够将薄栅氧MOS管应用到此电路中，从而改善了电路性能。
-
公开(公告)号：CN105607685B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610129025.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种动态偏置电压基准源。本发明的电路基准源电路为了提高基准源的电源稳定性增加了负反馈回路反馈回路一，同时在该负反馈回路中增加了正反馈回路反馈回路二来提高该负反馈回路的反馈系数，得到一个较大的环路放大倍数，使得该基准源的电源稳定性大幅提高，实现了高的电源抑制比性能。本发明的有益效果为，相对于静态偏置的基准电压源，本发明利用动态偏置，不仅满足了基准源核心所需的偏置要求，同时降低了电源电压扰动对电压基准源输出信号的影响，提高了基准源的电源稳定性，实现了高的电源抑制比性能。
-
公开(公告)号：CN105955389A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610467033.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体电路提供偏置，得益于该偏置的动态特性，该基准源有较高的电源抑制比。基准核心电路产生基准电压且进行低温补偿。高温补偿电路为该基准电压源提供高温补偿，使得该电压源的具有很小的温度系数。
-
公开(公告)号：CN105811959A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120378.4
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K19/00315
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种动态抗噪声干扰的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路难以满足高开关速度的要求，本发明的电平位移电路，采用PMOS管为LDMOS管提供大的充电电流，并减小了负载电阻上的噪声压降。本发明的有益效果为，本设计使得电路在高开关速度工作的情形下，会自动提升LMDOS管LD1、LD2漏端电位变化速度以及电路的噪声免疫能力。
-
公开(公告)号：CN105071647A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510493218.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种精确电压峰值锁定电路。本发明的电路，相对于传统高侧欠压锁定电路结构，本发明利用已有的由NMOS管M1，M2和电阻R1组成的电流镜启动电路为PMOS管M9提供的栅压对M9管的关断和开启来控制电阻串的连接状态，使得在深度欠压状态下可以对电阻串结构关断来降低电路的功耗。本发明的有益效果为，结构简单，能够有效降低欠压锁定电路的功耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199156B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610467034.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R19/175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体的说涉及一种交流换相检测电路。本发明提出的一种交流换相检测电路可以及时判断系统功率因子的变化情况，并且在系统的功率因子变化时选择不同的检测电路输出来作为最终的交流信号过零以及相位信息输出。本发明结构简单易于集成，能有效提高检测电路功能输出的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105955389B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610467033.6
申请日：2016-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体电路提供偏置，得益于该偏置的动态特性，该基准源有较高的电源抑制比。基准核心电路产生基准电压且进行低温补偿。高温补偿电路为该基准电压源提供高温补偿，使得该电压源的具有很小的温度系数。
-
公开(公告)号：CN105607685A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610129025.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种动态偏置电压基准源。本发明的电路基准源电路为了提高基准源的电源稳定性增加了负反馈回路反馈回路一，同时在该负反馈回路中增加了正反馈回路反馈回路二来提高该负反馈回路的反馈系数，得到一个较大的环路放大倍数，使得该基准源的电源稳定性大幅提高，实现了高的电源抑制比性能。本发明的有益效果为，相对于静态偏置的基准电压源，本发明利用动态偏置，不仅满足了基准源核心所需的偏置要求，同时降低了电源电压扰动对电压基准源输出信号的影响，提高了基准源的电源稳定性，实现了高的电源抑制比性能。
-
公开(公告)号：CN105811960B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610120864.6
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，特别涉及一种用于薄栅氧MOS管的电平位移电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用厚栅氧MOS管做驱动级，本发明的电平位移电路使用薄栅氧MOS管做驱动级，减小电平位移电路的功率损耗，提高高压电源转换器的工作频率。本发明的有益效果为，相比原有的电平位移电路结构，本发明的电平位移电路使用电容做负载，利用第二电容、第三电容来保护第一PMOS管、第一功率PMOS管的栅极，使得栅极电压浮动范围在5V以内，能够将薄栅氧MOS管应用到此电路中，从而改善了电路性能。
-
公开(公告)号：CN105024354B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510477019.X
申请日：2015-08-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有低功耗特性的欠压锁定电路。本发明的电路，相对于传统高侧欠压锁定电路结构，本发明利用已有的由NMOS管M1，M2和电阻R1组成的电流镜启动电路为PMOS管M9提供的栅压对M9管的关断和开启来控制电阻串的连接状态，使得在深度欠压状态下可以对电阻串结构关断来降低电路的功耗。本发明的有益效果为，结构简单，能够有效降低欠压锁定电路的功耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.015 seconds)
