公开(公告)号：CN103021456A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210554804.7

申请日：2012-12-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 胡滨 ,  李威 ,  李平 ,  翟亚红 ,  刘俊杰 ,  刘洋 ,  辜科

IPC: G11C11/413 ,  G11C16/02

Abstract: 非易失高抗单粒子的配置存储器单元，涉及集成电路技术。本发明包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。本发明采用DICE结构加上铁电电容能够构成非易失的FPGA，从而相比SRAM型FPGA，省去了外部配置存储器，简化了系统，大幅增加非易失FPGA的抗单粒子能力。

公开(公告)号：CN1889266A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610021450.4

申请日：2006-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李平 ,  阮爱武 ,  胡滨

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法，涉及集成电路技术，特别涉及单片集成微传感器技术。本发明的耐高温单片集成微传感器结构，包括IC层和微结构层，采用耐熔金属硅化物或者耐熔金属硅化物作为互连线。本发明的有益效果是，克服了微传感器系统在单片集成时温度方面的限制，提高了集成电路的空间利用率和可靠性，实现了整个系统小型化、实用化。并且生成成本低，与现有的生成线兼容。

公开(公告)号：CN106230534A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610557631.2

申请日：2016-07-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 胡滨 ,  史廷春

IPC: H04H40/18 ,  H04H40/45

CPC classification number: H04H40/18 ,  H04H40/45

Abstract: 本发明公开了一种语音播报收音机。它包括TEA5767收音模块、STC89C52单片机模块、语音播报模块和音频放大模块，STC89C52单片机模块分别与TEA5767收音模块、语音播报模块、音频放大模块信号连接；其中STC89C52单片机模块使用I2C总线与TEA5767收音模块相连，并通过I2C总线来控制TEA5767收音模块的工作，STC89C52单片机模块上的P2口的两个I/O引脚来模拟I2C总线的SCL和SDA时序。本发明设计了一个可以选段播放的电路应用于收音机中，其能使盲人用户凭借语音提示选择电台，免去人们通过看屏幕选台的麻烦。

公开(公告)号：CN102969316A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210470382.5

申请日：2012-11-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 翟亚红 ,  李平 ,  李威 ,  胡滨 ,  辜科

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 抗单粒子辐射MOSFET器件及制备方法，涉及集成电路技术。本发明包括高浓度衬底、源漏区、外延层、外延层异型阱和外延层同型阱，阱为倒掺杂阱，在漏区的垂直下方设置有部分埋氧层；在外延层同一类型阱的下方设置有与外延层类型相反的埋层，与阱边界形成PN结吸收层。本发明的有益效果是，单粒子所产生的瞬态电流脉冲时间宽度缩小了一倍，脉冲高度缩小为原来的40%。相对于SOI器件，可有效减弱自热效应以及浮体效应等。

公开(公告)号：CN100595921C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610021450.4

申请日：2006-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李平 ,  阮爱武 ,  胡滨

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法，涉及集成电路技术，特别涉及单片集成微传感器技术。本发明的耐高温单片集成微传感器结构，包括IC层和微结构层，采用耐熔金属硅化物或者耐熔金属硅化物作为互连线。本发明的有益效果是，克服了微传感器系统在单片集成时温度方面的限制，提高了集成电路的空间利用率和可靠性，实现了整个系统小型化、实用化。并且生成成本低，与现有的生成线兼容。

公开(公告)号：CN108233716A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611190952.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 胡滨

IPC: H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  G06N3/12

CPC classification number: H02M3/28 ,  G06N3/126 ,  H02M3/335 ,  H02M2001/0003

Abstract: 本发明涉及DC‑DC变换器的参数优化设计领域，尤其是一种基于遗传算法和DC‑DC变换器建模的参数优化设计方法，选取DC‑DC变换器的基本拓扑中的电感、电容以及负载电阻作为主要优化参数，采用遗传算法结合DC‑DC变换器建模对参数进行优化设计。衡量DC‑DC变换器工作性能的指标有纹波、阻尼系数等，这些指标可以根据设计需要通过建模得出。该方法有利于对DC‑DC变换器进行参数优化设计，在满足性能要求的前提下，提高设计效率，节约设计成本。