公开(公告)号：CN104183570A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410415806.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  钟志勇 ,  张怀武

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法，属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线；互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构；每层金属铜薄膜层的厚度为50～1000nm，每层铁磁金属薄膜层厚度为20～500nm；铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金；周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5～200。采用金属铜作为互连线的原料，成本低廉，采用超晶格薄膜结构，结构简单，易于实现，降低晶格失配导致的应力，电阻率低，可以选择频段实现近零有效磁导率，所以厚度可以在10～100μm无明显的趋肤效应；采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线，降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。

公开(公告)号：CN104267362A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410450347.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  肖云升 ,  钟志勇 ,  张怀武 ,  文丹丹

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明的涉及传感器领域，具体的说是涉及一种消除弱磁场传感器干扰磁场的装置及方法。包括直流电源、试件、螺线管线圈、锁相放大器、功率放大器及计算机，螺线管线圈能够提供直流偏置磁场和交流磁场，螺线管线圈缠绕在试件的外部，计算机分别与直流电源及锁相放大器相连，锁相放大器还分别与功率放大器及试件相连，直流电源及功率放大器又分别与螺线管线圈相连；试件为磁致伸缩材料层、银电极层与压电材料层形成的层状磁电复合材料，压电材料层的上下表面分别覆有被极化过的银电极层，两个磁致伸缩材料层分别设置在两个银电极层的外侧。本发明能够自动消除-5Oe到5Oe范围干扰磁场，通过选择品质因数高的材料，实现高精度的干扰磁场消除技术。

公开(公告)号：CN104267362B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201410450347.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  肖云升 ,  钟志勇 ,  张怀武 ,  文丹丹

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明的涉及传感器领域，具体的说是涉及一种消除弱磁场传感器干扰磁场的装置及方法。包括直流电源、试件、螺线管线圈、锁相放大器、功率放大器及计算机，螺线管线圈能够提供直流偏置磁场和交流磁场，螺线管线圈缠绕在试件的外部，计算机分别与直流电源及锁相放大器相连，锁相放大器还分别与功率放大器及试件相连，直流电源及功率放大器又分别与螺线管线圈相连；试件为磁致伸缩材料层、银电极层与压电材料层形成的层状磁电复合材料，压电材料层的上下表面分别覆有被极化过的银电极层，两个磁致伸缩材料层分别设置在两个银电极层的外侧。本发明能够自动消除‑5Oe到5Oe范围干扰磁场，通过选择品质因数高的材料，实现高精度的干扰磁场消除技术。

公开(公告)号：CN104183570B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410415806.7

申请日：2014-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 白飞明 ,  王艺程 ,  钟志勇 ,  张怀武

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种近零涡流损耗互连线及其制备方法，属于射频器件技术领域。包括衬底基片和衬底基片表面的互连线；互连线是由金属铜薄膜层和铁磁金属薄膜层相间层叠而形成的周期性复合超晶格薄膜结构；每层金属铜薄膜层的厚度为50～1000nm，每层铁磁金属薄膜层厚度为20～500nm；铁磁金属为磁性金属与铜形成的合金；周期性复合超晶格薄膜结构的周期数为5～200。采用金属铜作为互连线的原料，成本低廉，采用超晶格薄膜结构，结构简单，易于实现，降低晶格失配导致的应力，电阻率低，可以选择频段实现近零有效磁导率，所以厚度可以在10～100μm无明显的趋肤效应；采用金属电化学交替沉积法多周期交替电镀制备该互连线，降低制备工艺难度及成本。本发明适用于射频器件。