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公开(公告)号：CN104883136B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510221915.X
申请日：2015-05-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负阻式共栅CMOS低噪声放大器，属于集成电路领域。该放大器为单端输入/输出结构，包括了输入级、负载级、缓冲输出级、负阻级。此外，第一电流镜、第二电流镜分别为晶体管M1、M4、M5、M6提供静态偏置电流。射频信号电压从输入级输入，转化为信号电流，在负载处转化为电压信号，经缓冲输出级输出信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高LNA的增益，改善噪声性能。
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公开(公告)号：CN103701411B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201310690674.4
申请日：2013-12-13
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明公开了一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，包括基准源、电容充放电电路、第一比较器、第二比较器和SR锁存器；所述基准源的基准电流 与电容充放电电路连接，基准源的基准电压 分别与第一比较器的同相输入端和第二比较器的同相输入端连接；第一比较器的反相输入端和第二比较器的反相输入端，分别与电容充放电电路连接；第一比较器的输出端与SR锁存器的R端连接，第二比较器的输出端与SR锁存器的S端连接。本发明所述具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，可以克服现有技术中成本高、可靠性低和工艺偏差大等缺陷，以实现成本低、可靠性高和工艺偏差小的优点。
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公开(公告)号：CN103425177B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210165187.1
申请日：2012-05-25
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括：电流源核心电路、电流偏置电路、偏移电压电路和输出级单元，其特征在于，所述电流源核心电路的第五端和第六端分别接至外部的第一相对电压和第二相对电压，所述第一相对电压和第二相对电压的差值作为偏移电压，所述偏移电压随着温度变化基本保持恒定，并且该偏移电压随工艺变化的趋势与载流子迁移率相反。本发明的基准电流源通过在电流源核心电路中引入一个偏移电压改变MOS电阻两端的电压的温度系数，与载流子迁移率的温度系数相互补偿，可以实现零温度系数的输出电流。本发明的基准电流源还具有工艺补偿的特性，减轻工艺偏差对电流源精度的影响。
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公开(公告)号：CN102386848A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110281541.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明公开了一种环形压控振荡器，包括：基准电压源、稳压电路、补偿电路和振荡电路，所述基准电压源输出与所述稳压电路的输入端相连接；所述稳压电路产生两路输出电压，第一输出作为振荡电路的工作电压，第二输出输入到补偿电路作为补偿电路的输入电压；补偿电路的输出作为振荡电路的偏置电压。本发明的振荡器通过产生一个随温度和工艺变化的偏置电压来控制振荡电路的振荡频率，实现自动补偿振荡器的输出频率偏差。当温度升高导致振荡电路频率升高时，补偿电路产生一个随温度降低的控制电压，从而补偿频率的下降；当工艺角从SS到FF变化时，振荡电路也是升高的，补偿电路产生一个随工艺降低的控制电压，从而补偿频率的下降。
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公开(公告)号：CN105720946B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610040199.X
申请日：2016-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种振荡器，具体为松弛振荡器，包括主振荡器电路、负反馈稳压电路、从振荡器电路、比较器及逻辑电路。本发明提供的松弛振荡器，同时消除比较器延迟与输入失调对振荡频率的影响；采用主从双振荡器结构，利用从振荡器测量比较器延迟时长，并产生相应时长的脉宽信号控制电容充电电流切换为2I，从而有效消除比较器延迟对时钟周期的影响；同时，由主振荡器电路的4开关电路结构在时钟周期内切换比较器输入端的参考电压与充电电容电压，从而有效消除比较器输入失调对时钟周期的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105305981B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510855712.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种线性化宽带低噪声放大器，由两部分对称电路构成，两部分电路均包括：输入匹配级、共栅级、有源反馈级、负载级；该放大器为差分输入/输出结构，射频信号Vin+/‐输入后，经输入匹配宽带滤波，被共栅晶体管转化为电流信号，然后经过放大后在负载级转化为输出信号Vout+/‐；源极跟随器和反馈电容将输出信号Vout+/‐反馈到共栅晶体管的输入端；源极跟随器采用NMOS/PMOS互补结构来获得低的二阶、三阶扭曲分量，以减小对低噪放的非线性贡献；本发明在较宽的频带内显著提高放大器的线性度、维持小的噪声指数和功率消耗。
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公开(公告)号：CN103761561B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310715905.2
申请日：2013-12-23
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了兼容ISO18000-6C标准的超高频物联网芯片，包括外置的天线，与所述外置的天线连接的数字基带处理器，以及分别与所述数字基带处理器连接的射频模拟前端、离合状态监测与电池管理电路、温度感知电路和实时时钟。本发明所述兼容ISO18000-6C标准的超高频物联网芯片，可以克服现有技术中实时性差、功能少和扩展性差等缺陷，以实现实时性好、功能多和扩展性好的优点。
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公开(公告)号：CN103699927B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310692338.3
申请日：2013-12-13
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G06K19/077 , G01K7/00
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的无源超高频RFID标签芯片，包括射频前端、模拟前端、数字基带电路和存储器温度传感器。本发明所述具有温度感知功能的无源超高频RFID标签芯片，可以克服现有技术中体积大、功耗大和成功高等缺陷，以实现体积小、功耗小和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN105678352A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201511019163.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: G06K17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超高频RFID的远距离高速数据传输系统，包括：上位机、阅读器以及电子标签；所述电子标签包括：直流电源模块、DC-DC模块、ADC模块、FPGA芯片、调制解调电路、天线；本发明采用的有源超高频电子标签识别距离可达百米量级，实现远距离数据传输，ADC将高速传感器输入的高速数据信号中的模拟信号转换为数字信号，FPGA将该数据存入内部SRAM中，再以相对较低的无线数据传输速率将数据发送给阅读器；并且阅读器并且采用循环发送读取命令方式，一次读取命令只读取少量的数据，待阅读器接收到发生的数据后，再发送下一条读取命令读取下一组数据，直到完成全部数据的传输，提高了数据传输的可靠性，并大大提升数据传输效率。
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公开(公告)号：CN103761561A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310715905.2
申请日：2013-12-23
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了兼容ISO18000-6C标准的超高频物联网芯片，包括外置的天线，与所述外置的天线连接的数字基带处理器，以及分别与所述数字基带处理器连接的射频模拟前端、离合状态监测与电池管理电路、温度感知电路和实时时钟。本发明所述兼容ISO18000-6C标准的超高频物联网芯片，可以克服现有技术中实时性差、功能少和扩展性差等缺陷，以实现实时性好、功能多和扩展性好的优点。
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