公开(公告)号：CN104883136A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510221915.X

申请日：2015-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 郭本青 ,  王耀 ,  文光俊 ,  徐里坚

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种负阻式共栅CMOS低噪声放大器，属于集成电路领域。该放大器为单端输入/输出结构，包括了输入级、负载级、缓冲输出级、负阻级。此外，第一电流镜、第二电流镜分别为晶体管M1、M4、M5、M6提供静态偏置电流。射频信号电压从输入级输入，转化为信号电流，在负载处转化为电压信号，经缓冲输出级输出信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高LNA的增益，改善噪声性能。

公开(公告)号：CN104883136B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510221915.X

申请日：2015-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 郭本青 ,  王耀 ,  文光俊 ,  徐里坚

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种负阻式共栅CMOS低噪声放大器，属于集成电路领域。该放大器为单端输入/输出结构，包括了输入级、负载级、缓冲输出级、负阻级。此外，第一电流镜、第二电流镜分别为晶体管M1、M4、M5、M6提供静态偏置电流。射频信号电压从输入级输入，转化为信号电流，在负载处转化为电压信号，经缓冲输出级输出信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高LNA的增益，改善噪声性能。