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公开(公告)号：CN117272899A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311215246.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法，属于半导体器件建模与设计领域，包括晶体管电流模型参数提取；晶体管本征栅源和栅漏电容计算；边缘电容模型参数提取。本发明通过准确提取考虑反偏条件下源漏互置效应的等效栅极电压模型参数的方式，实现了对漏极反偏状态下电流特性的准确表征；利用边缘电容偏置相关模型的参数提取方法，实现了深夹断区非线性电容的准确表征，进而成功实现了开关器件关态下小信号和大信号特性的精准建模。
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公开(公告)号：CN111539165B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010211261.3
申请日：2020-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于成品率负载牵引系统的芯片设计方法及系统。该方法包括：设置成品率阈值、源阻抗值和负载阻抗对应的Smith圆图扫描范围；确定Smith圆图扫描范围内的负载阻抗点；根据源阻抗值和各负载阻抗点对应的阻抗信息，调用ADS中的谐波平衡仿真器，确定多个样本器件在特定源阻抗条件下，各负载阻抗点的输出特性；以样本器件的输出特性满足成品率阈值为原则，确定各负载阻抗点对应的器件成品率；计算样本器件在各负载阻抗点处的各输出特性的均值；结合各负载阻抗点对应的器件成品率以及各负载阻抗点对应的各输出特性的均值，确定最佳负载阻抗；根据最佳负载阻抗进行芯片设计。本发明能够减小电路设计调谐优化中的随机性，降低芯片的设计制造成本。
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公开(公告)号：CN111428437B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010154839.6
申请日：2020-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F17/18 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法，涉及电子信息‑信息技术领域。针对现有技术存在的问题，本发明提供一种微波氮化镓高电子迁移率晶体管准物理基大信号模型的器件统计模型高效参数提取的实现方法。本发明通过获取包含多个尺寸相同的不同GaN器件管芯对应的大信号模型参数数据集，并在参数数据集中，对多个物理参数及其子模型参数进行统计分析，结合因子分析的统计学理论，精确表征各参数之间的关联特性，最终实现对器件输出特性统计分布的预测。
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公开(公告)号：CN108363849B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810096948.X
申请日：2018-01-31
Applicant: 电子科技大学 , 成都海威华芯科技有限公司
IPC: G06F30/23 , G01R31/265 , G01R31/26 , G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种热阻提取方法及系统。所述方法及系统通过获取所述静态功耗下所述器件的红外热成像实测沟道温度分布，对所述器件的热仿真模型进行校准，然后根据所述校准后的热仿真模型进行器件热阻的计算。所述方法及系统结合了红外热成像法结果直观和ANSYS仿真法简易、成本低的优势，同时解决了红外热成像法空间分辨率低和ANSYS仿真中模型与实际器件存在差异这两大缺陷带来的误差，极大提高了热阻提取的准确度。
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公开(公告)号：CN117592413A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311581479.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaN HEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117217158A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311223059.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种金丝螺旋电感复合模型参数提取方法、装置及可存储介质，涉及集成电路设技术领域，其中方法包括以下步骤：S1：将待提取金丝以及待提取螺旋电感进行键合，得到对应的复合结构以及等效电路模型；S2：对所述复合结构进行场仿真，得到对应的S参数，并根据所述S参数得到对应的等效电路元件提取参数；S3：改变所述待提取金丝以及所述待提取螺旋电感的键合位置，基于不同键合位置得到多个新的复合结构以及等效电路模型，重复进行S2后，得到每个键入位置对应的等效电路元件参数提取结果等步骤；本发明考虑了螺旋电感和金丝级联的不连续性，能够提升金丝‑电感复合结构整体仿真精度。
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公开(公告)号：CN108363849A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810096948.X
申请日：2018-01-31
Applicant: 电子科技大学 , 成都海威华芯科技有限公司
IPC: G06F17/50 , G01R31/265 , G01R31/26 , G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种热阻提取方法及系统。所述方法及系统通过获取所述静态功耗下所述器件的红外热成像实测沟道温度分布，对所述器件的热仿真模型进行校准，然后根据所述校准后的热仿真模型进行器件热阻的计算。所述方法及系统结合了红外热成像法结果直观和ANSYS仿真法简易、成本低的优势，同时解决了红外热成像法空间分辨率低和ANSYS仿真中模型与实际器件存在差异这两大缺陷带来的误差，极大提高了热阻提取的准确度。
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公开(公告)号：CN119670662A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411721362.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种仿真功率附加效率的改进型K参数行为模型建模方法，包括以下步骤：步骤1、基于IP核的改进型K参数模型数据获取；步骤2、改进型K参数模型参数提取；步骤3、功率附加效率动态计算实现；步骤4、改进型K参数模型仿真与验证。本发明通过对K参数模型的公式进行扩展，突破了功率附加效率的动态计算方法，实现了基于K参数模型的芯片功率附加效率的仿真预测。
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公开(公告)号：CN117828888A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410030200.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明属于半导体器件仿真技术领域，公开了一种基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统，TCAD仿真数据获取，对MOSFET进行电流‑电压特性仿真；数据归一化处理，对工艺参数进行归一化处理，优化输入数据；关键物理参数提取，从仿真数据中提取关键参数；工艺参数‑关键物理参数ANN模型构建，利用归一化参数和偏置电压训练人工神经网络(ANN)，输出关键物理参数；关键物理参数‑电流ANN模型构建，构建基于关键物理参数的ANN模型，预测MOSFET的漏源电流。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方法，大幅降低训练时间，加速工艺参数优化效率。
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公开(公告)号：CN117592427A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311617706.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于射频功放芯片热电仿真技术领域，公开了一种考虑封装效应的射频功放芯片热电联合仿真方法及系统，对外延层结构、材料及热参数进行定义；建立晶体管热电模型；进行芯片级热电仿真；对芯片外围封装层进行定义；进行考虑外围封装影响的芯片热电仿真。本发明基于芯片级的有限元热仿真及晶体管模型，建立了考虑外围封装影响的射频功放芯片热电效应的动态仿真方法，实现了射频时变信号激励下，带封装结构功放芯片热分布的动态仿真计算。本发明可以仿真动态热电效应，同时可以考虑晶体管间互热效应和芯片封装结构的影响，为射频功放芯片以及封装结构优化及其热管理提供重要指导。
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