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公开(公告)号：CN110377096B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910756675.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块；预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器，提高了带隙基准源的电源抑制比；基准电流源模块用于产生内部基准电流，通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿，具有低温漂的特性。
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公开(公告)号：CN110007708A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910314771.0
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 一种具有上拉电流和下拉电流能力的线性稳压器，属于集成电路设计领域。包括偏置电路、误差放大器和功率调整电路，偏置电路用于为误差放大器和功率调整电路提供偏置，误差放大器中采用自偏置的共源共栅电流镜作负载，可以获得较高的增益，降低了系统失调，同时提高了输出电压精度和电源抑制比；功率调整电路采用伪classAB结构实现了线性稳压器下拉电流和上拉电流的能力，使得本发明在上拉电流、下拉电流时，系统具有较好的负载瞬态响应；另外利用两个动态电流源控制的跨导线性负反馈环路来稳定输出电压，使得本发明具有较高的稳定性。
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公开(公告)号：CN109976424A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910314757.0
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 一种无电容型低压差线性稳压器，属于电子电路技术领域。包括偏置电路、运算放大器电路、电源电压采样电路、补偿电路以及功率管和反馈环路，偏置电路用于提供偏置，运算放大器电路将反馈电压和基准电压进行处理，并将处理结果传递给功率管和反馈环路，电源电压采样电路采用中频PSRR提高技术，通过第四电容采样电源电压的变化，使第一功率管的栅极电压抵消电源电压的变化，提高中频PSRR；补偿电路通过第二电容使输出直接耦合到第三PMOS管栅极，具有瞬态增强作用，同时第三电容切断前馈通路，拓展带宽，改善了第二电容的影响；功率管采用辅助功率管和主功率管分开控制的方式，提高了轻载时系统效率，同时降低主功率管的栅寄生电容，提高系统稳定性。
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公开(公告)号：CN109671706B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811593444.5
申请日：2018-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/07 , H01L21/8232 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法，属于功率半导体集成技术领域。本发明通过以下主要工艺步骤：制备衬底；形成N+埋层；生长P型外延层；形成穿通隔离区；制备场氧；N阱注入、推阱；P阱注入、推阱；JFET的栅极N型区注入、推结；制备栅氧和多晶硅；N+注入；P+注入；制备欧姆孔；退火激活；淀积并刻蚀金属层，将PJFET﹑CMOS﹑nLDMOS和(或没有)Poly电阻和Poly二极管、Poly电容、阱电阻集成在同一芯片上。本发明高低压器件兼容性好，隔离效果好，掩模版次少。JFET具有高精度模拟特性、输入阻抗大、高速、抗辐照特性好等优点，实现了低压JFET器件与高压控制DMOS部分、低压逻辑CMOS部分的集成，可应用于电源管理IC、保护类电路和集成运放的工艺设计中。
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公开(公告)号：CN110460308A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910755244.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽范围的环形压控振荡器电路，包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块，环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流，能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度；电压转电流模块用于产生电流控制信号控制振荡信号的振荡频率，采用轨到轨运放克服了MOS管对压控振荡器控制电压范围的限制，使电路在低压下能正常工作的同时仍保留了大的输入电压范围，增大了压控振荡器的电压调节范围和输出频率范围；稳定共模电压模块用于将环形振荡器模块的共模电压稳定为参考电压；输出整形模块用于将振荡信号的振幅扩展至轨对轨后输出，扩展了输出信号的摆幅，摆脱了尾电流源对输出信号摆幅的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110377096A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910756675.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块；预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器，提高了带隙基准源的电源抑制比；基准电流源模块用于产生内部基准电流，通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿，具有低温漂的特性。
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公开(公告)号：CN110460308B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910755244.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽范围的环形压控振荡器电路，包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块，环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流，能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度；电压转电流模块用于产生电流控制信号控制振荡信号的振荡频率，采用轨到轨运放克服了MOS管对压控振荡器控制电压范围的限制，使电路在低压下能正常工作的同时仍保留了大的输入电压范围，增大了压控振荡器的电压调节范围和输出频率范围；稳定共模电压模块用于将环形振荡器模块的共模电压稳定为参考电压；输出整形模块用于将振荡信号的振幅扩展至轨对轨后输出，扩展了输出信号的摆幅，摆脱了尾电流源对输出信号摆幅的限制。
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公开(公告)号：CN109947169B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910327106.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路，包括第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路、预稳压电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路，第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路分别用于启动预稳压电路、基准电流源电路、带隙基准核心电路；预稳压电路用于产生局部电压为第二启动电路、第三启动电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路供电，达到抑制电源纹波的效果；基准电流源电路用于产生基准电流，带隙基准核心电路产生基准电压。本发明通过设置带隙基准核心电路的共源共栅电流镜、运放输出端的前馈通路、基准电流源电路增添第三条支路、基准源输出端串联RC低通滤波电路等技术有效改善了带隙基准电路的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN109671707B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811593459.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/784
Abstract: 一种集成VDMOS的JCD集成器件及其制备方法，属于功率半导体集成技术领域。本发明首次实现了在同一芯片上制作JFET﹑CMOS﹑VDMOS，同时还能将poly电容、poly电阻以及poly二极管等无源元件与之集成构成电路。本发明不仅结合VDMOS的高开关速度、高耐压和JFET器件的优越的模拟特性和低噪声特性、温度稳定性和抗辐照能力强以及CMOS部分的高集成度等优点，而且同时也为功率电路设计带来极大的灵活性。本发明整体工艺使用掩模版次较少，工艺层次的复用性强，有利于制造成本的控制；在有限的芯片面积上实现高低压兼容、高性能、高效率与高可靠性，运用本发明JCD集成技术制得的芯片具有更好的综合性能，有利于单片式功率系统集成的发展。
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公开(公告)号：CN111682070A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010748363.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，包括：P型衬底、N型漂移区、P型重掺杂一区、N型半导体漏区、P型双重降低表面电场(Double RESURF)区、P型体区、P型重掺杂二区、N型重掺杂区、P型阱区、N型轻掺杂电阻区、第一多晶硅、第二多晶硅、氧化层、漏极金属、栅极金属、导线金属、电流感测电极以及衬底金属；本发明在传统高压C-SenseFET的基础上，在功率器件源端和Sense电极之间扩散形成阱电阻，并通过金属导线使其与源极连接，实现了高压C-SenseFET新结构的设计，从而有效抑制了负温特性，降低了温度漂移系数，改善了C-SenseFET器件的温度特性。
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