一种用于逐次逼近型模数转换器的电容阵列开关方法

    公开(公告)号:CN111585577A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010626144.3

    申请日:2020-07-02

    Abstract: 一种用于逐次逼近型模数转换器的电容阵列开关方法,属于电子电路技术领域。逐次逼近型模数转换器中加权电容阵列包括一位正相端冗余电容、一位反相端冗余电容、N-2位正相端加权电容和N-2位反相端加权电容,本发明将每一位加权电容都拆分为并联的两个电容值相等的拆分加权电容,通过将冗余电容加入电荷重分配的运算中,在冗余电容上使用单调的开关方式,使得实现N位转换精度仅需要2N-1个单位电容,与共模电平VCM-based开关方案相比节省了一半的电容,节省了电路面积和成本;同时本发明基本保留了共模电平VCM-based开关方案中比较器共模电平不变化的特点,仅在最后一次比较时共模电平有 的变化,解决了由于共模电平变化大导致的对比较器的设计要求高的问题。

    一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路

    公开(公告)号:CN110320954A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910756677.0

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路,其中初级基准启动模块和带隙基准核心启动模块用于在上电时启动初级基准模块和带隙基准核心模块,并在初级基准模块和带隙基准核心模块正常工作后退出;带隙基准核心模块通过NMOS管源随器接法或PMOS管共源极接法与第二三极管和第三三极管构成βhelp结构,避免了基极电流引入过大误差的问题;初级基准模块产生一个带驱动能力的初级基准电压为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电,提高了带隙基准的电源抑制性能,且初级基准电压和带隙基准核心模块产生的一阶补偿带隙电压通过电阻分压方式进行叠加,能够产生一个凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准,温度漂移系数为4ppm,可以很好的满足高精度应用场合的要求。

    一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路

    公开(公告)号:CN110320954B

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201910756677.0

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路,其中初级基准启动模块和带隙基准核心启动模块用于在上电时启动初级基准模块和带隙基准核心模块,并在初级基准模块和带隙基准核心模块正常工作后退出;带隙基准核心模块通过NMOS管源随器接法或PMOS管共源极接法与第二三极管和第三三极管构成βhelp结构,避免了基极电流引入过大误差的问题;初级基准模块产生一个带驱动能力的初级基准电压为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电,提高了带隙基准的电源抑制性能,且初级基准电压和带隙基准核心模块产生的一阶补偿带隙电压通过电阻分压方式进行叠加,能够产生一个凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准,温度漂移系数为4ppm,可以很好的满足高精度应用场合的要求。

    一种宽范围的环形压控振荡器电路

    公开(公告)号:CN110460308A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910755244.3

    申请日:2019-08-15

    Abstract: 一种宽范围的环形压控振荡器电路,包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块,环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流,能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度;电压转电流模块用于产生电流控制信号控制振荡信号的振荡频率,采用轨到轨运放克服了MOS管对压控振荡器控制电压范围的限制,使电路在低压下能正常工作的同时仍保留了大的输入电压范围,增大了压控振荡器的电压调节范围和输出频率范围;稳定共模电压模块用于将环形振荡器模块的共模电压稳定为参考电压;输出整形模块用于将振荡信号的振幅扩展至轨对轨后输出,扩展了输出信号的摆幅,摆脱了尾电流源对输出信号摆幅的限制。

    高电源抑制比低温漂的带隙基准源

    公开(公告)号:CN110377096A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910756675.1

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源,包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块,预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块;预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电,预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器,提高了带隙基准源的电源抑制比;基准电流源模块用于产生内部基准电流,通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比;带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿,具有低温漂的特性。

    高电源抑制比低温漂的带隙基准源

    公开(公告)号:CN110377096B

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201910756675.1

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源,包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块,预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块;预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电,预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器,提高了带隙基准源的电源抑制比;基准电流源模块用于产生内部基准电流,通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比;带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿,具有低温漂的特性。

    一种具有上拉电流和下拉电流能力的线性稳压器

    公开(公告)号:CN110007708A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910314771.0

    申请日:2019-04-18

    Abstract: 一种具有上拉电流和下拉电流能力的线性稳压器,属于集成电路设计领域。包括偏置电路、误差放大器和功率调整电路,偏置电路用于为误差放大器和功率调整电路提供偏置,误差放大器中采用自偏置的共源共栅电流镜作负载,可以获得较高的增益,降低了系统失调,同时提高了输出电压精度和电源抑制比;功率调整电路采用伪classAB结构实现了线性稳压器下拉电流和上拉电流的能力,使得本发明在上拉电流、下拉电流时,系统具有较好的负载瞬态响应;另外利用两个动态电流源控制的跨导线性负反馈环路来稳定输出电压,使得本发明具有较高的稳定性。

    一种采样保持电路
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110460338B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201910754356.7

    申请日:2019-08-15

    Abstract: 一种采样保持电路,包括第一运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第一电容,第一电阻的一端作为采样保持电路的输入端,另一端连接第一NMOS管的漏极、第一开关的一端并通过第二电阻后连接第一运算放大器的输出端;第一运算放大器的负向输入端连接第一开关的另一端和第三开关的一端,正向输入端连接第二开关的一端和共模电压,输出端作为采样保持电路的输出端并通过第一电容后连接第二开关的另一端和第三开关的另一端;第一NMOS管的栅极连接偏置电压,源极接地。本发明的输入端和输出端连接多晶硅电阻,信号摆幅接近电源轨从而使信噪比最大化,另外设置电流源管使得本发明能够在低电源电压下正常工作。

    一种缓启动电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111949060A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010816034.3

    申请日:2020-08-14

    Abstract: 一种缓启动电路,包括斜坡使能控制模块和斜坡基准建立模块,斜坡使能控制模块用于提供输出使能信号,使能缓启动电路的应用系统,本发明尤其适用于LDO用于限制浪涌电流,通过设置输出使能信号上升时间小于输出使能信号反相信号的下降时间,使得LDO功率管的使能管先关断,保证功率管的栅极电压在输出使能信号来临时平滑的建立到稳定值;当输入使能信号由高电平变为低电平时,斜坡使能控制模块也能通过电容迅速充放电,使得输出使能信号及时翻转。利用斜坡基准建立模块在LDO内部静态工作点稳定后缓慢建立误差放大器输入端的输出基准电压,本发明将电流源充电和RC串联的方式相结合,使得输出基准电压能够稳定平滑的建立到输出值。

    一种采样保持电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110460338A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910754356.7

    申请日:2019-08-15

    Abstract: 一种采样保持电路,包括第一运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第一电容,第一电阻的一端作为采样保持电路的输入端,另一端连接第一NMOS管的漏极、第一开关的一端并通过第二电阻后连接第一运算放大器的输出端;第一运算放大器的负向输入端连接第一开关的另一端和第三开关的一端,正向输入端连接第二开关的一端和共模电压,输出端作为采样保持电路的输出端并通过第一电容后连接第二开关的另一端和第三开关的另一端;第一NMOS管的栅极连接偏置电压,源极接地。本发明的输入端和输出端连接多晶硅电阻,信号摆幅接近电源轨从而使信噪比最大化,另外设置电流源管使得本发明能够在低电源电压下正常工作。

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