公开(公告)号：CN119470493A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411360066.1

申请日：2024-09-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 莫佳龙 ,  杨冠科 ,  李小碟 ,  姚欣怡

IPC: G01N23/02 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开了不同能量快中子辐照AB双层石墨烯的微观结构影响实验方法，具体涉及材料科学与核工程领域，实验步骤如下：步骤一、确定研究目标；步骤二、选择参数和设置对照组；步骤三、样品选择与处理；步骤四、辐照控制；步骤五、观察辐照后微观结构表征；步骤六、数据统计与分析；步骤七、总结。本发明实验方法操作简单，根据实验方法能够看出，快中子辐照对AB双层石墨烯的微观结构有显著影响，包括层间距离的增大和缺陷密度的增加，这些变化与辐照的能量和剂量有关，表明辐照条件对石墨烯的微观结构改性具有可控性。

公开(公告)号：CN119479852A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411699617.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 莫佳龙 ,  杨冠科 ,  李小碟 ,  姚欣怡

IPC: G16C10/00 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明公开了碳基材料AB双层石墨烯的辐照损伤影响方法，具体涉及材料科学和电子技术领域，包括S1、构建微观结构模型，S2、快中子辐照模拟，S3、外加电场，S4、统计微观结构参数，S5、计算能带结构，S6、计算弹性常数和杨氏弹性模量，S7、计算光学性质。本发明可以全面研究碳基材料AB双层石墨烯在快中子辐照、外加电场、不同辐照源、温度变化和存在缺陷等情况下的辐照损伤影响，分析各种因素对AB双层石墨烯的微观结构、能带结构、杨氏弹性模量和光学性质的影响，为碳基器件的设计和优化提供理论支持，同时，也可以为辐照防护和材料性能改进提供参考依据。