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公开(公告)号：CN100469940C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510021674.0
申请日：2005-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。本发明方法具体为：1)0.2Pa-2Pa氩氢混合气体环境下，在NiW3%双轴金属基片上溅射沉积稀土金属薄膜；2)7×10-4Pa-5×10-3Pa水蒸气环境下，加入氩氢混合气体使气体总压为0.2Pa-2Pa，加热沉积了稀土金属薄膜的基片至700℃-1000℃并保持10-120min，稀土金属薄膜氧化形成具有双轴织构特性的稀土金属氧化物薄膜；3)降温。本发明方法制备的氧化物过渡层薄膜具有良好的织构和高的表面平整度，沉积速率可达到0.3nm/s，为工业快速生长第二代高温超导带材氧化物过渡层薄膜提供了良好的实现途径。
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公开(公告)号：CN1741253A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510021154.X
申请日：2005-06-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，涉及微电子材料领域，特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的BaTiO3薄膜能够达到单一取向，表面均匀，界面扩散得到有效控制，具体的，本发明包括：在真空环境下，加热基片，然后用激光剥离MgO，使MgO等离子体在Si基片上沉积，得到MgO缓冲层；再用激光剥离BTO，使BTO在Si基片上生长，得到BTO薄膜。本发明制备的MgO缓冲层为双轴织构，具有很高的热力学稳定性，三个原胞厚的MgO能阻止界面的扩散；在双轴织构的MgO缓冲层上制备的BTO薄膜为单一的c轴取向，表面平整，在结构上能满足铁电存储器、光学器件的设计。
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公开(公告)号：CN1740377A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510021674.0
申请日：2005-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及材料技术，特别涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。采用本发明，能够快速生长具有良好的织构和高的表面平整度的氧化物薄膜。本发明包括以下步骤：1)在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积方式为蒸发、溅射或脉冲激光沉积；2)氧化步骤1)制得的金属薄膜，通过氧分压、退火温度以及退火时间控制氧化物薄膜的取向和表面平整度，形成具有双轴织构特性的氧化物薄膜；3)降温。使用该方法制备的氧化物过渡层薄膜不仅具有良好的织构和高的表面平整度，而且沉积速率可达到0.3nm/s，为工业快速生长第二代高温超导带材氧化物过渡层薄膜提供了良好的实现途径。
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公开(公告)号：CN1736871A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510021182.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法，涉及微电子材料领域，特别涉及应用于氧化物(氧化镁)－复合氧化物(钛酸锶)异质外延中纳米线及其表面周期结构的制备方法。本发明提供的方法制备得到的材料具有优越的电学、光学、力学和热学性质。本发明的方法为：在真空环境下，对钛酸锶单晶基片进行热处理然后以激光剥离氧化镁陶瓷靶材，产生的激光等离子体沉积在钛酸锶单晶基片上，制得氧化镁薄膜；同时监控沉积过程，在钛酸锶基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后，停止沉积。本发明制得的具有序表面周期结构的氧化镁纳米线，将使氧化镁这种功能材料在纳米尺度的范围内体现出有别于块材的特殊光、电、磁、化性质。
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公开(公告)号：CN111370576B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010190579.8
申请日：2020-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法，属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜，控制激光能量密度、衬底温度、氧分压、沉积时间等研究Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的生长工艺与特性，并最终得到TiN/Al‑Hf0.5Zr0.5O2/TiN/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM结构电容器。本发明制备的铁电薄膜，与现有技术的钙钛矿结构的铁电薄膜相比，具有与CMOS器件的兼容性好、可集成性高、铁电层厚度尺寸小、热稳定性好和化学稳定性高的特点，经过高温快速退火处理工艺后的薄膜，具有介电常数大、剩余极化强度大、漏电流小的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105514268A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510957045.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发属于CMOS超大规模集成电路中的非挥发存储器的改性及其制造技术领域，具体涉及一种高开关比阻变存储器及其制备方法。该高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层、衬底。阻变材料层为三层同质结的金属氧化物构成，且该三层同质结金属氧化物结构的中间层氧空位浓度大于两边层。衬底采用表面热氧了一层SiO2的Si衬底。本发明通过控制三层同质结的生长氧分压，从而导致它们的氧空位浓度不同，能够是氧空位更易发生移动，以得到较高的开关比，从而使得不同信息间的存储状态更好地区分开，进而避免串扰现象。
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公开(公告)号：CN102820322B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210327192.8
申请日：2012-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 含铁电层的GaN基增强型器件，涉及微电子技术领域。本发明包括AlGaN/GaN/Al2O3半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO3型铁电薄膜层，ZnO缓冲层设置于衬底和外延LiNbO3型铁电薄膜层之间；AlGaN以AlxGa1-xN表示，x为Al的摩尔含量，0＜x≤1。本发明通过ZnO缓冲层的引入，所制备的增强型场效应管器件的性能得到大大提高，具体表现在：Ids由97mA/mm增加到203mA/mm，Gm由27mS/mm增加到46mS/mm。本发明将为制备新型的GaN类半导体器件提供了一种良好材料体系设计方案和器件结构。
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公开(公告)号：CN100418196C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510021154.X
申请日：2005-06-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，涉及微电子材料领域，特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的BaTiO3薄膜能够达到单一取向，表面均匀，界面扩散得到有效控制，具体的，本发明包括：在真空环境下，加热基片，然后用激光剥离MgO，使MgO等离子体在Si基片上沉积，得到MgO缓冲层；再用激光剥离BTO，使BTO在Si基片上生长，得到BTO薄膜。本发明制备的MgO缓冲层为双轴织构，具有很高的热力学稳定性，三个原胞厚的MgO能阻止界面的扩散；在双轴织构的MgO缓冲层上制备的BTO薄膜为单一的c轴取向，表面平整，在结构上能满足铁电存储器、光学器件的设计。
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公开(公告)号：CN1328166C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510021182.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法，涉及微电子材料领域，特别涉及应用于氧化物(氧化镁)-复合氧化物(钛酸锶)异质外延中纳米线及其表面周期结构的制备方法。本发明提供的方法制备得到的材料具有优越的电学、光学、力学和热学性质。本发明的方法为：在真空环境下，对钛酸锶单晶基片进行热处理然后以激光剥离氧化镁陶瓷靶材，产生的激光等离子体沉积在钛酸锶单晶基片上，制得氧化镁薄膜；同时监控沉积过程，在钛酸锶基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后，停止沉积。本发明制得的具有序表面周期结构的氧化镁纳米线，将使氧化镁这种功能材料在纳米尺度的范围内体现出有别于块材的特殊光、电、磁、化性质。
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公开(公告)号：CN102306626B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110266824.X
申请日：2011-09-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制作MgO掩膜；(3)沉积MgO薄膜；(4)剥离光刻胶，留下直接沉积在基片上的MgO薄膜作为掩膜；(5)依次沉积铁电氧化物薄膜层和金属层；(6)剥离MgO掩膜，留下直接沉积在基片上的铁电氧化物薄膜层和金属层作为半导体异质结场效应管的栅结构。本发明制备方法简单，而且对GaN基半导体异质结构的损伤较小，不会对器件的性能造成太大的影响。
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